控制由加工半导体的沉积设备所形成的膜层厚度的方法

摘要

一种用于控制由加工半导体的沉积设备所形成的膜层的厚度的方法,它通过在一台主计算机中包含一个利用适当的计算公式具有预先确定的计算功能的操作模块,可以提供对测量到的数据的精确的分析。按照本方法,有可能避免无法控制的控制故障,实现数据分析的连续性,并极大地减小操作人员的工作负荷。

主权项

1．一种控制由加工半导体的沉积设备所形成的膜层厚度的方法，包括步骤：接收由测量作为一配料单元放入所述沉积设备的多个第一组中经沉积过程所形成的膜层的厚度所获得的数据，寻找为所述沉积设备所设定的加工条件数据；根据所述的测量到的厚度数据和所述的加工条件数据，计算沉积时间和沉积温度的预定的修正值；确定所述的修正值是否在一个规定范围之内；如果确定所述的修正值是在所述的规定范围之内，则确定将第二组放入所述的沉积设备以运行后面接下来的沉积过程的信号是否已输入；如果确定所述信号没有输入，则寻找所述加工条件数据，如果确定所述信号已经输入，则显示所述修正值；确定是否由操作人员输入了一个预定的修正命令；以及如果确定所述操作人员输入了所述预定的修正命令，则按照所述修正命令接收预定的修正数据，并将所述修正数据下载到所述的沉积设备。