| 主权项 |
1.一种渠沟隔离的制造方法,该制程步骤包括:提供一半导体基底,在该半导体基底上已形成一第一绝缘层、一第一渠构与一第二渠沟,该第一绝缘层位于该第一渠构与该第二渠沟周缘,且该第二渠沟的宽度比该第一渠沟的宽度大;在该第一绝缘层与该渠沟上覆盖一第二绝缘层,用以填满该第一渠构与该第二渠沟,且在该第二渠沟上方形成一凹陷处;在该第二绝缘层上形成一第三绝缘层;进行第一研磨步骤,研磨该第三绝缘层,直到露出该第二绝缘层,留下在该凹陷虚的该第三绝缘层,形成一绝缘罩幕;进行蚀刻步骤,以该绝缘罩幕为蚀刻的罩幕,蚀刻该第二绝缘层直到露出该第一绝缘层;以及进行第二研磨步骤,用以去除余留在该第一绝缘层表面的部分。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一研磨步骤系为化学机械研磨法(CMP)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二研磨步骤系为化学机械研磨法(CMP)。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层与该第二绝缘层的蚀刻率不同。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该第一绝缘层系为氮化矽层。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该第二绝缘层系为氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层与该第三绝缘层的蚀刻率不同。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第二绝缘层系为氧化矽层。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第三绝缘层系为氮化矽层。10.一种渠沟隔离的制造方法,该制程步骤包括:提供一半导体基底,在该半导体基底上已形成一第一绝缘层与一渠沟,该第一绝缘层位于该渠沟周缘;在该第一绝缘层与该渠沟上形成一第二绝缘层,用以填满该渠沟,且在该渠沟上方形成一凹陷处;在该第二绝缘层与该凹陷处上形成一第三绝缘层;进行第一研磨步骤,研磨该第三绝缘层,直到露出该第二绝缘层,此时该凹陷处中会余留部分的该第三绝缘层;进行非等向性蚀刻步骤,以该第一绝缘层为终止层,且以该余留的第三绝缘层为罩幕,蚀刻该第二绝缘层,留下该第三绝缘层与其下方之该第二绝缘层,形成一凸出部分,该凸出部分系凸出于该第一绝缘层的表面;以及进行第二研磨步骤,去除该凸出部分。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一研磨步骤系为化学机械研磨法(CMP)。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第二研磨步骤系为化学机械研磨法(CMP)。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一绝缘层与该第二绝缘层的蚀刻率不同。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中第一绝缘层系为氮化矽层。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二绝缘层系为氧化矽层。16.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该氧化矽层与该第二氮化矽层的蚀刻率不同。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第二绝缘层系为氧化矽层。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该第三绝缘层系为氮化矽层。19.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第三绝缘层的形成方法系常压化学气相沉积法(APCVD)。20.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第三绝缘层的形成方法系次常压化学气相沉积法(SACVD)。21.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第三绝缘层的形成方法系高密度电浆化学气相沉积法(HDP-CVD)。图式简单说明:第一图A至第一图E绘示的是一种习知渠沟隔离法制造步骤的剖面示意图;第二图A至第二图E系根据本发明之一较佳实施例,一种渠沟隔离法制造步骤的剖面示意图;以及第三图A至第三图E系根据本发明之另一较佳实施例,一种渠沟隔离法制造步骤的剖面示意图。 |
