| 主权项 |
1.一种形成矽石薄膜之组合物,该组合物包含(A)氢矽倍半氧烷树脂,其含有45重量%具有分子量不大于1,500之氢矽倍半氧烷树脂及(B)溶剂。2.如申请专利范围第1项之组合物,其中以(A)及(B)为基准,有5至50重量%(A)。3.如申请专利范围第1项之组合物,其中该氢矽倍半氧烷树脂包含梯状聚矽氧烷及笼状聚矽氧烷。4.如申请专利范围第1项之组合物,其中该氢矽倍半氧烷树脂包含端基以选自包括羟基,三有机矽氧基及二有机氢矽氧基封阻之梯状聚矽氧烷。5.如申请专利范围第1项之组合物,其中该溶剂系选自包括芳族溶剂,脂族溶剂,酮溶剂,脂族酯溶剂及聚矽氧溶剂。6.一种形成矽石薄膜之方法,其包括i)以如申请专利范围第1-5项中任一项之可形成矽石薄膜之组合物涂覆基材表面;ii)蒸发溶剂(B);及iii)经由将该涂覆妥之基材涂覆于高能辐射下,使至少部份氢矽倍半氧烷树脂转化成矽石。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该基材为电子装置。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该氢矽倍半氧烷树脂系于含氧气体环境下转化。9.如申请专利范围第6项之方法,其中至少部份氢矽倍半氧烷树脂(A)系经由将该涂覆妥的基材表面于10℃至50℃温度下,暴露于高能辐射而转化成矽石。图式简单说明:第一图(a)至第一图(d)为示意图显示制造本发明之半导体装置之多种方法。第二图为剖面图显示于实例7藉旋涂产生的氧矽倍半氧烷树脂薄膜。第三图为剖面图显示实例7产生的矽石薄膜。第四图为剖面图显示于比较例2藉旋涂产生的氢矽倍半氧烷树脂薄膜。第五图为剖面图显示比较例2产生的矽石薄膜。 |
