| 主权项 |
1.一种局部接触窗的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有一闸极与一源极/汲极区,且该闸极形成有一间隙壁;于该基底上形成一介电层;去除部份之该介电层与部份之该间隙壁,暴露出该闸极之部份上表面、侧壁以及部份之该源极/汲极区,形成一接触窗口;以及于该基底上形成一金属层,使该金属层填入该接触窗口,至少覆盖所暴露之该闸极与该源极/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该介电层之步骤包括一平坦化制程。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中该闸极与该源极/汲极区上形成有矽化金属。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中该间隙壁之材质与该介电层之材质相同。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中去除部份之该介电层之步骤更包括一非等向性蚀刻制程。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中该介电层系经由化学机械研磨制程加以平坦化。7.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中该金属层之材质系由矽化钨、钨、铝、铜、钛、氮化钛与铝矽铜合金中的任一金属所形成。8.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,更包括去除部份之该金属层,以获一平整的表面。9.如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,更包括一化学机械研磨制程,以去除部份之该金属层,获得一平整的表面。10.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括定义该金属层之制程。11.一种局部内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有一闸极与一源极/汲极区,且该闸极形成有一间隙壁;于该基底上形成一介电层;去除部份之该介电层与部份之该间隙壁,暴露出该闸极之部份上表面、侧壁与部份之该源极/汲极区,形成一接触窗口;于该基底上形成一金属层,使该金属层填入该接触窗口,至少覆盖所暴露之部份该闸极与部份该源极/汲极区;以及定义该金属层,以形成该局部内连线。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该闸极与该源极/汲极区上形成有矽化金属。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该间隙壁之材质包括氧化矽。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该间隙壁之材质与该介电层之材质相同。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该介电层之材质包括氧化矽。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该介电层之材质包括硼磷矽玻璃。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该介电层系经由化学机械研磨制程以平坦化。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该金属层之材质系由矽化钨、钨、铝、铜、钛、氮化钛与铝矽铜合金中的任一金属所形成。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示习知一种埋窗的制造流程剖面图;第二图A至第二图E绘示依照本发明一较佳实施例的一种局部接触窗的制造流程剖面图;以及第三图A至第三图D绘示依照本发明一较佳实施例的第二图A中介电层较薄时,形成一种局部接触窗的制造流程剖面图。 |
