| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen SOI-Hochspannungsschalter mit einer FET-Struktur, bei der zwischen einer Gateelektrode (6) und einer Drainelektrode (7, D) im Drainbereich (3, 2) eine Driftzone (11) des einen Leitfähigkeitstyps vorgesehen ist. In diese Driftzone (11) sind säulenartige Gräben (8) in der Form eines Gitters eingelassen, die mit Halbleitermaterial (9, 10) des anderen Leitfähigkeitstyps gefüllt sind.</p> |
