| 主权项 |
1.一种形成自行对准金属矽化物与区域内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上具有复数个浅沟渠隔离区,以定义出至少两元件区,并在该基底上形成一闸氧化层;在该基底上之该两元件区上分别形成一第一闸极电极与一第二闸极电极,其中该第一闸极电极与该第二闸极电极具有堆叠状之该闸氧化层与其上之一多晶矽层、一矽化金属层及一第一绝缘层;对该基底施以一离子布値,以在该第一闸极电极与该第二闸极电极之两侧下方的该基底内形成复数个源/汲极区;在该第一闸极电极与该第二闸极电极周围分别形成一第一间隙壁及一第二间隙壁;蚀刻部分该第一闸极电极之该第一绝缘层及部份该第一间隙壁,以暴露出该第一闸极电极之部份该矽化金属层;去除在该基底上暴露之该闸极氧化层;在每一该源/汲极区曝露的表面上形成一自行对准金属矽化物;在该基底上形成一第二绝缘层及覆盖其上之一介电层;蚀刻部分该介电层及该第二绝缘层,以暴露出一自行对准金属矽化物区域与一区域内连线区域,其中该区域内连线区域包括部分该第一闸极电极、部份该矽化钛层、部分该第一间隙壁及在该第一闸极电极周围的该源/汲极区表面之部份该自行对准金属矽化物,而该自行对准金属矽化物区域包括部分该第二闸极电极、该第二间隙壁及在该第二闸极电极周围之该源/汲极区表面之该自行对准金属矽化物,藉以使得在该基底上同时形成该自行对准金属矽化物与该区域内连线。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包括:在每一该自行对准金属矽化物区域与该区域内连线区域内侧形成一阻障黏着层;在每一该阻障黏着层上形成一插栓层,以填满每一该自行对准金属矽化物区域及每一该区域内连线区域,以作为该些元件之一多重内连线制程步骤中之一接触窗。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该阻障黏着层为一钛/氮化钛层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中形成该钛/氮化钛层的方法系为一溅镀法。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该插栓为钨。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽化金属层为矽化钛。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中形成该矽化钛层的方法系为一溅镀法。8.如申请专利范围第1顶所述之方法,其中该第一绝缘层与该第二绝缘层为氮化矽。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一间隙壁、该第二间隙壁之材质系为氮化矽。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该第二闸极氧化层的方法系为一湿蚀刻法。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该自行对准金属矽化物的方法,包括下列步骤:在该基底上形成一金属层;以及进行高温制程使该金属层和在该基底上所暴露之该源/汲极区表面形成该自行对准金属矽化物。12.一种形成自行对准金属矽化物与区域内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上具有复数个浅沟渠隔离区,以定义出至少两元件区,并在该基底上形成一闸氧化层;在该基底上之该两元件区上分别形成一第一闸极电极与一第二闸极电极,其中该第一闸极电极与该第二闸极电极具有堆叠状之该闸氧化层与其上之一多晶矽层、一矽化金属层及一第一绝缘层;对该基底施以一离子布値,以在该第一闸极电极与该第二闸极电极之两侧下方的该基底内形成复数个源/汲极区;在该第一闸极电极与该第二闸极电极周围分别形成一第一间隙壁及一第二间隙壁;蚀刻部分该第一闸极电极之该第一绝缘层及部份该第一间隙壁,以暴露出该第一闸极电极之部份该矽化金属层;去除在该基底上暴露之该闸极氧化层;在每一该源/汲极区曝露的表面上形成一自行对准金属矽化物;在该基底上形成一第二绝缘层及覆盖其上之一介电层;蚀刻部分该介电层及该第二绝缘层,以暴露出一自行对准金属矽化物区域与一区域内连线区域,其中该区域内连线区域包括部分该第一闸极电极、部份该矽化钛层、部分该第一间隙壁及在该第一闸极电极周围的该源/汲极区表面之部份该自行对准金属矽化物,而该自行对准金属矽化物区域包括部分该第二闸极电极、该第二间隙壁及在该第二闸极电极周围之该源/汲极区表面之该自行对准金属矽化物;在每一该自行对准金属矽化物区域与该区域内连线区域内侧形成一阻障黏着层;在每一该阻障黏着层上形成一插栓层,以填满每一该自行对准金属矽化物区域及每一该区域内连线区域,以作为该些元件之一多重内连线制程步骤中之一接触窗。图式简单说明:第一图A-第一图D系绘示习知自行对准金属矽化物之制造流程图;第二图A-第二图D系绘示习知区域内连线之制造流程图;以及第三图A-第三图H是依照本发明一较佳实施例之自行对准金属矽化物与区域内连线整合的制造流程图。 |
