| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 制造半导体器件的方法包括步骤：(a)在半导体表面形成p势阱区及n势阱区，及(b)在p及n势阱区两者上形成一个n型外延层，并使得n型外延层包含杂质的浓度低于n势阱区包含的杂质浓度。例如，n型外延层可用化学汽相淀积形成，其中使用包括磷或砷的化合物的过程气体。根据本方法，可以用较少步骤优化低杂质沟道晶体管中的NMOS及PMOS晶体管两者的阈值电压。这保证了制造成本的降低及产量的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN1227969A | 申请公布日期 | 1999.09.08 |
| 申请号 | CN99103055.9 | 申请日期 | 1999.01.29 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 野田研二 |
| 分类号 | H01L21/8238;H01L27/092 | 主分类号 | H01L21/8238 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1．一种制造半导体器件的方法，它包括步骤：(a)在半导体表面形成p势阱区及n势阱区，及(b)在所述p及n势阱区两者上形成一个n型外延层，并使得所述n型外延层包含杂质的浓度低于所述n势阱区包含的杂质浓度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||