| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括带接线图样在表面上;多数之焊接块用以搭接印刷接线图样至该带接线图样;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,其中该弹性体树脂具有不小于50MPa和不大于750MPa之横向弹性模数,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该装置安装在以玻璃环氧树脂制成之印刷电路板上。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中介于该半导体晶片之多数电极和该带接线图样间之连接乃由带自动搭接方法进行。4.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括带接线图样在表面上;多数之焊接块用以搭接印刷接线图样至该带接线图样;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,其中该弹性体树脂具有不小于150MPa和不大于2250MPa之纵向弹性模数,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。5.一种半导体装置,包含:半导体晶片及具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括带接线图样在表面上;多数之焊接块用以搭接印刷接线图样至该带接线图样;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,其中该弹性体树脂具有不小于(10L-150)MPa和不大于(12L-100)MPa之横向弹性模数,其中L表示该半导体晶片之纵向尺寸,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。6.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括带接线图样在表面上;多数之焊接块用以搭接印刷接线图样至该带接线图样;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,其中该密封树脂具有不超过10010-6/℃之线性膨胀系数。7.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括带接线图样在表面上;多数之焊接块用以搭接印刷接线图样至该带接线图样;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。8.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;第一弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;第一树脂带层具有第一带接线图样在表面上,其连接至该第一弹性体树脂部份;一基层,其中该半导体晶片可用于固定该基层;一第二弹性体树脂部份,其由一弹性体树脂所形成且搭接至该基层;一第二树脂带层具有第二带接线图样在表面上,其搭接至该第二弹性体树脂部份;多数之焊接块用以搭接该印刷接线图样至该第一带接线图样和用以搭接该印刷接线图样至该第二接线图样;第一引线用以连接该半导体晶片之多数电极至该第一带接线图样;第二引线用以连接该半导体晶片之多数电极至该第二带接线图样;密封树脂,用以覆盖该第一和第二引线和由第一和第二引线所连接之多数电极,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。9.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括在面对该弹性体树脂部份之表面上之带接线图样,和具有通孔延伸进入至少一部份该带接线图样;多数之焊接块形成在通孔中以搭接该印刷接线图样至该带接线图样;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。10.一种半导体装置,包含:半导体晶片具有多数电极以供外部连接;弹性体树脂部份,其由弹性体树脂所形成,且结合至除了至少一部份该多数电极之外之该半导体晶片;一树脂带层,包括带接线图样在表面上;多数之焊接块用以搭接印刷接线图样至该带接线图样;金属球,其由金所形成在该半导体晶片之多数电极上;引线,用以连接多数之半导体晶片之电极经由该金属球至该带接线图样;和密封树脂,用以覆盖该引线和由引线所连接之多数电极,以及该金属球,且该密封树脂之线性热膨胀系数等于或小于10010-6/℃。图式简单说明:第一图为本发明之第一实施例之半导体装置之截面图;第二图A和第二图B为发生在一般CSP型半导体装置中之热形变之图;第三图为本发明之第二实施例之半导体装置之截面图;第四图为本发明之第三实施例之半导体装置之截面图;第五图为本发明之第四实施例之半导体装置之截面图;和第六图为依照本发明之第五实施例之半导体装置之截面图。 |
