发明名称 有害气体之净化方法
摘要 本发明揭示一种有害气体之净化方法,其系包括将包含卤素及/或卤素化合物,例如氟化氢、氯化氢、六氟化钨、四氟化矽及三氟化硼之有害气体与一种包括主要由氧化铜 (Ⅱ)之和氧化锰 (Ⅳ )之净化剂(其中酸钠散布反黏合合并)进行接触以使从有害气体中除去有害成分。根据本发明之净化方法,使得于室温从有害气体以极高效率除去有害成分变为可能,省去加热或冷却而与有害气体成分之浓度无关。净化剂之之净化能力有利地保持而没有变质,甚至当有害气体于乾燥状态。再者,净化剂可安全地除去有害气体或从其除去有害成分而没有造成火灾之危险。特征在上述各项之净化方法从工业之观点是非常有效且具意义的:其非常适合于净化来自半导体制造方法中之废气以及遇到从气体圆筒中泄漏之有害气体之紧急状况对策。
申请公布号 TW370470 申请公布日期 1999.09.21
申请号 TW085113860 申请日期 1996.11.13
申请人 派欧尼股份有限公司 发明人 大塚健二;名和洋二;荒川秩
分类号 B01D53/34 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种有害气体之净化方法,其包括将含至少卤素及卤素化合物之有害气体与主要由氧化铜(II)和二氧化锰所组成之金属氧化物以甲酸钠添着而成的净化剂进行接触,以使从该有害气体中除去有害成分。2.如申请专利范围第1项之方法,其中卤素为至少一种选自氟、氯、溴、碘和三氟化氯,而卤素化合物为至少一种选自氟化氢、氯化氢、溴化氢和碘化氢、三氟化硼、四氟化锗、六氟化钨及四氟化矽者。3.如申请专利范围第1项之方法,其中有害气体包含至少一种于105ppm或以下浓度之卤素和卤素化合物。4.如申请专利范围第1项之方法,其中净化剂具有0至50重量%之水份含量。5.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化铜(II)和二氧化锰之总含量为至少60重量%,而氧化铜(II)对二氧化锰之重量比于1:0.2至1:5.0之范围。6.如申请专利范围第1项之方法,其中每100重量份氧化金属添着甲酸钠以1至60重量份(以无水甲酸钠表示)至净化剂中。
地址 日本