金属蚀刻制程之光阻残余物的去除方法

摘要

在『金属蚀刻反应室』(Metal Etching Chamber)进行积体电路之金属蚀刻后，必需在『光阻去除反应室』(Photoresist Stripper)利用氧气电浆去除光阻，而为了降低金属表面的粗糙度，吾人会降低『光阻去除反应室』的温度。但实验显示，降低『光阻去除反应室』的温度会造成光阻去除不乾净，污染后续蚀刻与薄膜沉积制程，降低了积体电路良率。本发明揭露了一种方法，在金属之过度蚀刻步骤(Over-Etch Step)之后增加一个后金属蚀刻处理步骤(Post Metal Etch Treatment Step)，所述『后金属蚀刻处理步骤』是以SF6/CF4做为电浆反应气体，并以低射频功率形成电浆，以去除金属蚀刻后在光阻表面形成之一层薄的硬化膜(Harden Surface)。以 SF6/CF4气体电浆去除光阻表面之『薄的硬化膜』后，便可以在低温的『光阻去除反应室』中完全去除光阻，因此能压抑突起(Hillock)的形成，达到降低金属表面粗糙度的目地。

主权项

1.一种消弭金属蚀刻制程(Metal Etch)之光阻残余物(Photoresist Residues)的方法,系包含下列步骤:在半导体基板上(Semiconductor Substrate)形成金属层(Metal);在所述『金属层』表面形成光阻图案(PhotoresistPattern);以所述『光阻图案』作为蚀刻保护罩(Etch-ProtectionMask),利用电浆蚀刻技术在『金属蚀刻反应室』(Metal Etching Chamber)内进行『金属蚀刻』,蚀去被所述『光阻图案』覆盖区域以外之所述『金属层』;在所述『金属蚀刻反应室』施行一个后金属蚀刻处理步骤(Post Metal Etch Treatment Step),所述『后金属蚀刻处理步骤』是以SF6/CF4做为电浆反应气体,并以低射频功率(Low RF)形成电浆;将所述『半导体基板』移出所述『金属蚀刻反应室』而置于『光阻去除反应室』(Photoresist Stripper);降低所述『光阻去除反应室』的温度,去除金属蚀刻后之光阻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所述『半导体基板』含有电晶体、电阻器、电感器、电容器和各种薄膜。3.如申请专利范围第1项之方法,其中所述『金属层』是指铝合金(AluminumAlloy)、钛(Ti)、钨(W)、氮化钛(TiN)和钨化钛(TiW)等金属。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之『金属蚀刻』有两个蚀刻步骤,一个是主要蚀刻步骤(Main-Etch Step),一个是过度蚀刻步骤(Over-Etch tep),先施行『主要蚀刻步骤』再施行『过度蚀刻步骤』。5.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之『后金属蚀刻处理步骤』之处理时间,介于5到15秒之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所述之『后金属蚀刻处理步骤』之低射频功率(Low RF),介于250到350Watts之间。图式简单说明:第一图为本发明实施例中所使用的真空反应室(chamber)之示意图。