发明名称 半导体元件、使用在半导体元件中之半导体包装、以及半导体元件的制造方法
摘要 一半导体包装系包括将半导体单元安置与固定在其上之基极以及连接图样。该基极系有一贯穿通道形成于其中。该半导体单元系固定,有单元形成之其表面安置在该基极上,其电极系位于该贯穿通道内。该半导体单元之电极系经由导线而电性连接至连接图样而贯穿该贯穿通道。该贯穿通道与该导线系由树脂所密封。
申请公布号 TW376556 申请公布日期 1999.12.11
申请号 TW087106056 申请日期 1998.04.21
申请人 冲电气工业股份有限公司 发明人 佐佐木孝明
分类号 H01L21/56 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 詹铭文
主权项 1.一种固定半导体单元之半导体包装,包括:一基极,有该半导体单元安置于其上,以将该半导体单元之有单元形成之表面之该边固定至其一边,该基极系有一贯穿通道由该基极之该边至另一边;以及一连接图样,其在该基极之该另一边上,以连接至该半导体单元。2.如申请专利范围第1项之半导体包装,其中该连接图样在复数级中系连续,在该贯穿通道之该边上之该连接图样系一尾端部份系在该基极之该边上。3.如申请专利范围第1项之半导体包装,其中该贯穿通道系复数贯穿通道。4.一种具有一半导体单元固定至一半导体包装之半导体元件之半导体包装,该半导体包装包括:一基极,有该半导体单元安置于其上,以将该半导体单元固定至该基极之一边,以及在该基极之另一边上之一连接图样,该基极系有一贯穿通道由该基极之该边至另一边,其中该半导体单元之有单元形成之一表面系安置于该基极之该边上,该半导体单元之一电极系固定至该边以在该贯穿通道内,并经由导线而电性连接至该连接图样而贯穿该贯穿通道,该贯穿通道与该导线系由树脂所密封。5.如申请专利范围第4项之半导体包装,其中该连接图样在复数级中系连续,在该贯穿通道之该边上之该连接图样系一尾端部份系在该基极之该边上。6.如申请专利范围第4项之半导体包装,其中该贯穿通道系复数贯穿通道。7.一种具有一半导体单元固定至一半导体包装之半导体元件之制造方法,其包括下列步骤:准备该半导体包装,其结构包括一基极,有该半导体单元安置于其上,以将该半导体单元固定至该基极之一边,以及在该基极之另一边上之一连接图样,以及形成由该基极之该边至另一边之一贯穿通道;将该半导体单元之有单元形成之一表面固定在该半导体包装之该基极之该边上,使得该半导体单元之一电极系位于该贯穿通道内;经由导线而电性连接该连接图样与该半导体单元之该电极而贯穿该贯穿通道;以及用树脂该贯穿通道与该导线密封。8.如申请专利范围第7项之半导体元件之制造方法,其中该连接图样在复数级中系连续,在该贯穿通道之该边上之该连接图样系一尾端部份系在该基极之该边上。9.如申请专利范围第7项之半导体元件之制造方法,其中该贯穿通道系复数贯穿通道。10.如申请专利范围第7,8,或9项之任一项半导体元件之制造方法,其中该半导体单元之有单元形成之该表面系经由一带状接合材质而固定在该半导体包装之该基极之该边上。11.如申请专利范围第7,8,或9项之任一项半导体元件之制造方法,其中该半导体单元之有单元形成之该表面系用粘合物而固定在该半导体包装之该基极之该边上。图式简单说明:第一图系描绘本发明之半导体元件之第一实施例之结构之剖面图;第二图A与第二图B系用以解释第一图所示之半导体元件结构之透视图,特别系用以解释半导体包装之后表面边,以及第二图C系用以解释第一图所示之半导体元件结构之透视图,特别系用以解释半导体包装之前表面边;第三图系半导体单元之透视图,描绘有单元形成之表面;第四图系半导体元件之透视图,用以解释其后表面边;第五图系半导体元件之透视图,用以解释其前表面边;第六图系描绘本发明之半导体元件之第二实施例之结构之剖面图;第七图系描绘本发明之半导体元件之第三实施例之结构之剖面图;第八图系描绘习知半导体元件之结构之剖面图;以及第九图系描绘另一习知半导体元件之结构之剖面图。
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