| 主权项 |
1.一种半导体元件上焊垫之制造方法,包括下列步骤:提供一已形成有一多层金属层之基底,在该基底上形成一内金属介电层,该内金属介电层具有一沟渠;在该内金属介电层上形成一共形的阻障层;在该阻障层上形成一第一金属层,以部分填满该沟渠;在该第一金属层上形成一第二金属层,并使之填满该沟渠;去除部分的该第二金属层及该第一金属层,直至裸露该内金属介电层;在该内金属介电层上,形成一帽盖层;在该帽盖层上,形成一保护层;以及定义该保护层和该帽盖层,以形成一焊垫窗口。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该内金属介电层包括氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该阻障层包括钽/氮化钽层、氮化钨层、钛/氮化钛层和钛钨合金其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一金属层包括铜金属层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二金属层包括铝、镍和金其中之一。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该帽盖层包括氮化矽层和氮氧化矽层金其中之一。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该保护层包括氮化矽层和磷矽玻璃层其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中去除部分的该第二金属层及该第一金属层之方法包括化学机械研磨法。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该阻障层的方法包括化学气相沉积法。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该阻障层的方法包括溅镀法。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中定义该保护层和该帽盖层的方法包括非等向性蚀刻法。12.一种半导体元件上焊垫之制造方法,包括下列步骤:提供一已形成有一多层金属层之基底,在该基底上形成一内金属介电层,该内金属介电层具有一沟渠;在该内金属介电层上形成一共形的阻障层;在该阻障层上形成一铜金属层,以部分填满该沟渠;在该铜金属层上形成一金属层,并使之填满该沟渠;去除部分的该金属层及该铜金属层,直至裸露该内金属介电层;在该内金属介电层上,形成一帽盖层;在该帽盖层上,形成一保护层;以及定义该保护层,以形成一焊垫窗口。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该第二金属层包括铝、镍和金其中之一。14.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中去除部分的该金属层及该铜金属层之方法包括化学机械研磨法。15.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该内金属介电层包括氧化矽层。16.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该阻障层包括钽/氮化钽层、氮化钨层、钛/氮化钛层和钛钨合金其中之一。17.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该帽盖层包括氮化矽层和氮氧化矽层其中之一。18.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中该保护层包括氮化矽层和磷矽玻璃层其中之一。19.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中形成该阻障层的方法包括化学气相沉积法。20.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中形成该阻障层的方法包括溅镀法。图式简单说明:第一图A至第一图E显示习知一种半导体元件上焊垫制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图F显示本发明一较佳实施例之一种半导体元件上焊垫之制造流程的剖面示意图。 |
