| 主权项 |
1.一种在半导体处理系统中藉着使用电浆使一处理物经过电浆处理的方法,该方法包含如下之步骤:根据该电浆处理之期望的进展,设立观察该电浆处理之进展所需之一测量目标、一指派时间周期,在该指派时间周期期间,该测量目标必须被测量、及估计该测量目标之改变所需之一样品分布函数的一设立步骤;在该设立步骤之后开始该处理物之电浆处理的一步骤;在该电浆处理期间,在该指派时间周期内测量该测量目标的一测量步骤;在该电浆处理期间,以在该测量步骤中所得到之测量目标的测量资料和该样品分布函数为基础,与该电浆处理之进展一起发生之得到一估计方程式的一估计步骤,该估计方程式估计该测量目标的改变;在该电浆处理期间,以该估计方程式为基础,计算在该指派时间周期之后该测量目标之改变的期望轮廓及一虚拟终点的一预先准备步骤,该电浆处理应该于该虚拟终点结束;在该电浆处理期间及在该指派时间周期之后,以该虚拟终点为基础,决定该电浆处理是否应被结束的一决定步骤;及以该决定步骤之决定结果为基础,将该电浆处理结束的一步骤。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该预先准备步骤包括计算在该指派时间周期与该虚拟终点之间的时间间隔,而该决定步骤包括以该时间间隔为基础,决定该电浆处理是否应该被结束。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该预先准备步骤包括定义一作为该虚拟终点的时间点,在该时间点处,从该轮廓计算出来的一期待値系实质上与一预设値一致的。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该期待値是为一个在该估计方程式之虚拟终点处的値。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,该期待値是为一个在藉着将该估计方程式微分所得到之方程式之虚拟终点处的値。6.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含一个在该电浆处理期间和在该指派时间周期之后,持续测量测量目标的持续测量步骤,及一个以在该持续测量步骤中所得到之测量目标之测量资料和该样品分布函数为基础,依序更新该估计方程式、该轮廓、和该期待终点的持续预先准备步骤。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该持续预先准备步骤包括依序更新在该指派时间周期与该虚拟终点之间的时间间隔,及当一个在更新该时间间隔时之校正量变成不大于一预设参考値时,将该持续测量步骤结束。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该指派时间周期系以在该测量步骤所得到之测量目标的改变为基础来如此设定俾可决定其之最终时间点。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该指派时间周期系实质上与该电浆处理同时开始。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该样品分布函数系从包含伟伯分布函数、子数-子数分布函数、双子数(Gumbel)分布函数、布尔分布函数、动力逻辑分布函数、一般分布函数、高斯分布函数、罗伦兹分布函数、及波耳兹曼分布函数的群组中选择出来。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该测量目标系从电浆的发射强度计算出来。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,该电浆处理是为一个藉着将一处理气体转换成电浆来蚀刻在该处理物上之物层的步骤。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,该测量目标是为一个在电浆中之第一与第二气体之间之发射强度的比率或者差。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该第一和第二气体是为发射强度分别与电浆处理之进展一起增加和减少的气体。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该第一气体是为一种藉由该处理气体之分解所产生的气体,而该第二气体是为一种由在该物层与由该处理气体之分解所产生之物质之间之作用所产生的作用副产品气体。图式简单说明:第一图系显示本发明较佳实施例之电浆乾式蚀刻装置的示意图;第二图系显示本发明较佳实施例之电浆乾式蚀刻方法的流程图;第三图系显示一测量曲线(波形)的图表,该测量曲线表示电浆之发射强度比[CF2/SiF]之测量値的改变;第四图系显示由一估计方程式所代表之一估计曲线的图表,该估计曲线系藉利用直到该指派时间周期之最终时间点所得到之发射强度比之测量资料尝试来得到;第五图系显示由一微分表示式所代表之微分曲线的图表,该微分曲线系藉着把第四图中所显示之估计曲线之估计方程式微分来得到;第六图系显示在一虚拟终点与分别显示于第四图和第五图中之估计和微分曲线之间之关系的图表;及第七图系显示经由将该资料取样时间周期改变之估计所得到之估计曲线的图表。 |
