| 主权项 |
1.一种光学装置,包括至少一多重模式干扰(MMI)导波管及至少一布拉格栅结构,其特征在于至少一所谓通路导波管系配置在该MMI导波管的第一侧上,且至少一通路导波管系配置在该MMI一导波管的第二侧上,该第一及第二侧系该MMI导波管的短侧,该通路导波管配有一所谓逐渐变细结构,且该布拉格栅系配置在该MMI导波管中。2.根据申请专利范围第1项之光学装置,其特征在于该布拉格栅系配置在该MMI导波管的中心。3.根据申请专利范围第1项之光学装置,其特征在于该布拉格栅和该MMI导波管的中心呈一偏移关系。4.根据申请专利范围第3项之光学装置,其特征在于该装置包括一热学、光学或电气式主动相位控制元件。5.根据申请专利范围第2项之光学装置,其特征在于该装置包括一热学、光学或电气式主动相位控制元件。6.根据申请专利范围第4项之光学装置,其特征在于该MMI导波管具有逐渐变细结构位于该布拉格栅结构之各侧上。7.根据申请专利范围第6项之光学装置,其特征在于该MMI导波管上的该逐渐变细结构是线性的。8.根据申请专利范围第6项之光学装置,其特征在于该MMI导波管上的该逐渐变细结构是抛物线的。9.根据申请专利范围第7项之光学装置,其特征在于至少一通路导波管是配置在该MMI导波管的该一侧上,使得此通路导波管的路径长会不同于其余通路导波管的路径长。10.根据申请专利范围第9项之光学装置,其特征在于第一MMI导波管上的一通路导波管系耦合至第二MMI导波管的一通路导波管。11.根据申请专利范围第8项之光学装置,其特征在于至少一通路导波管是配置在该MMI导波管的一侧上,使得此通路导波管之路径长不同于其余导波管之路径长。12.根据申请专利范围第11项之光学装置,其特征在于第一MMI导波管上的一通路导波管系耦合至第二MMI导波管的一通路导波管。13.根据申请专利范围第7项之光学装置,其特征在于至少一通路导波管是配置在该MMI导波管之第一及第二侧上,使得其路径长不同于其余导波管。14.根据申请专利范围第13项之光学装置,其特征在于第一MMI导波管上的一通路导波管系耦合至第二MMI导波管的一通路导波管。15.根据申请专利范围第8项之光学装置,其特征在于至少一通路导波管是配置在该MMI导波管之第一及第二侧上,使得其路径长不同于其余导波管。16.根据申请专利范围第15项之光学装置,其特征在于第一MMI导波管上的一通路导波管系耦合至第二MMI导波管的一通路导波管。17.根据申请专利范围第10,12,14或16项之光学装置,其特征在于相邻于位在该MMI导波管中的至少一通路导波管的一部件具有折射率系不同于该MMI导波管其余部件的折射率。18.根据申请专利范围第17项之光学装置,其特征在于该装置包括至少二个MMI导波管及至少二个布拉格栅,其中至少一所谓通路导波管系配置在第一MMI导波管的第一侧上,且至少一通路导波管系配置在第二MMI导波管的第二侧上,且其中该第一及第二侧是该MMI导波管的短侧;该第一MMI导波管的第二短侧及该第二MMI导波管的第一侧系相互耦合;该通路导波管具有一逐渐变细的结构;且该等布拉格栅结构是配置在该MMI导波管中。19.根据申请专利范围第18项之光学装置,其特征在于该第一MMI导波管的该第二侧及该第二MMI导波管的该第一侧是互相呈侧向偏差之关系。20.根据申请专利范围第19项之光学装置,其特征在于该MMI导波管具有一逐渐变细结构位于该布拉格栅结构之各侧上。图式简单说明:第一图例举一根据本发明之光学波长选择装置的实施例。第二图例举一进步的光学波长选择装置的另一实施例。第三图例举一进步的光学波长选择装置的进一步实施例。第四图例举一进步的光学波长选择装置的更进一步实施例。第五图例举一进步的光学波长选择装置的另一实施例。第六图例举一进步的光学波长选择装置的更另一实施例。 |
