| 发明名称 |
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
나노 결정 산화물 또는 비정질 산화물로 구성되는 산화물 반도체막으로서, 인듐, 텅스텐 및 아연을 함유하고, 산화물 반도체막 중의 인듐, 텅스텐 및 아연의 합계에 대한 텅스텐의 함유율이 0.5 원자%보다 크고 5 원자% 이하이며, 전기 저항률이 10Ωcm 이상인 산화물 반도체막(14) 및 이것을 포함하는 반도체 디바이스(10)가 제공된다. |
| 申请公布号 |
KR20160120774(A) |
申请公布日期 |
2016.10.18 |
| 申请号 |
KR20167025555 |
申请日期 |
2015.08.21 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
发明人 |
MIYANAGA MIKI;WATATANI KENICHI;AWATA HIDEAKI |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12;H01L29/06 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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