| 主权项 |
1.一种利用蚀刻混合物蚀刻半导体晶圆之方法,该蚀刻混合物系由混合硝酸及氢氟酸及随意地一界面活性剂而制得,其中亦可另加氢氟酸或另加氢氟酸及硝酸,制备蚀刻混合物所用之硝酸浓度为≧70%重量比及氢氟酸浓度为>50%重量比,或硝酸浓度为>70%重量比及氢氟酸浓度为≧50%重量比。2.如申请专利范围第1项之方法,其中制备蚀刻混合物所用之硝酸浓度为73至98%重量比及氢氟酸浓度为>60至95%重量比。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中另加氢氟酸或另加氢氟酸及硝酸,且另加酸之浓度与制备蚀刻混合物所用对应酸之浓度相同。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中另加氢氟酸或另加氢氟酸及硝酸,且另加酸之浓度较制备蚀刻混合物所用对应酸之浓度高5至10%。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中除另加酸之外更将一定容积之蚀刻混合物加以替换。 |
