发明名称 频率检测电路
摘要 本发明提供一种频率检测电路,其包含:在各时脉信号位准移位时用以产生某种脉波宽度之脉波信号的一组位准移位检测装置;以及一组位准检测装置。该位准检测装置包含:一组充电装置;一组放电装置,其被位准移位检测装置的脉波信号所引动而将该充电装置的电荷放电;以及具有逻辑临限电压之一组反相器,并且用以依据该充电装置之被充电位准接收电气信号并且将它们反相。
申请公布号 TW389839 申请公布日期 2000.05.11
申请号 TW087113575 申请日期 1998.08.18
申请人 LG半导体股份有限公司 发明人 崔相信
分类号 G01R23/09 主分类号 G01R23/09
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种频率检测电路,其包含:一组位准移位检测装置,其在各时脉信号位准移位时用以产生某种脉波宽度之脉波信号;以及一组位准检测装置,其包含:一组充电装置;一组放电装置,其被位准移位检测装置的脉波信号所引动而将该充电装置的电荷放电;以及一组反相器,其具有逻辑临限电压并且用以依据该充电装置之被充电位准接收电气信号且将它们反相。2.如申请专利范围第1项之频率检测电路,其中该位准移位检测装置是一组上升边缘检测电路,其包含一组NAND闸,用以经由具有反相装置之延迟通道以及经由不具有延迟装置之直接通道接收具有时间延迟之时脉信号。3.如申请专利范围第2项之频率检测电路,其中该反相装置产生一时间延迟。4.如申请专利范围第2项之频率检测电路,其中该位准检测装置、一组电阻器以及一组电容器串列连接在一组电源和接地之间;一组NMOS电晶体的闸极被该NAND闸的反相输出信号所控制;该NMOS电晶体的排极连接到一组节点,该节点连接到该电阻器和该电容器;该NMOS电晶体的源极接地;并且具有逻辑临限电压之一组反相器的输入端点连接到该节点,该节点连接到该电阻器和该电容器。5.如申请专利范围第1项之频率检测电路,其中该位准检测装置的输出信号经由一组D正反器被输出。6.如申请专利范围第5项之频率检测电路,其中该D正反器在资料输入和输出时与该时脉信号的反相信号同步。7.如申请专利范围第5项之频率检测电路,其中该D正反器包含:一组第一传输闸,利用该等时脉信号导通和切断并且用以接收该位准检测装置之输出信号;一组第一OR闸,具有用以接收该第一传输闸之输出信号的一组第一输入端点,并且具有用以接收重置信号之一组第二输入端点;一组第二传输闸,连接在该第一OR闸的输出端点和该第一OR闸之该第一输入端点之间,用以与该第一传输闸互补地操作;一组第二OR闸,具有用以经由一组第三传输闸接收该第二传输闸的输出信号之一组第一输入端点,该第三传输闸与该第一传输闸互补地操作;该第二OR闸具有用以接收该重置信号之一组第二输入端点;以及一组第四传输闸,用以与该第二传输闸互补地操作,并且连接在该第二OR闸之一组输出端点以及该第二OR闸之该第一输入端点之间。8.如申请专利范围第7项之频率检测电路,其中该第一和第四传输闸在该时脉信号之低位准时导通。9.如申请专利范围第7项之频率检测电路,其中该第二和第三传输闸在该时脉信号之高位准时导通。10.如申请专利范围第1项之频率检测电路,其中多数个位准检测装置被平行连接以接收该等位准移位检测装置之输出信号;并且不同的逻辑临限电压被设定于该等位准检测装置之该等多数个反相器,因而某些位元的数位信号与该等时脉信号的频率成比例地产生。图式简单说明:第一图是习见的频率检测电路之电路图;第二图是依据本发明的频率检测电路之方块图;第三图是依据本发明的频率检测电路之方块图;第四图是第三图的频率检测电路之D正反器的电路图;以及第五图展示依据本发明之频率检测电路的输入和输出信号波形。
地址 韩国