| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括:提供一基底,并在该基底上形成一罩幕层,该罩幕层已定义出一沟渠图案;以已图案化的该罩幕层为硬罩幕,植入一掺质于该基底中,以形成一掺杂区;将该罩幕层的该沟渠图案转移至该基底中,用以于该基底中形成一沟渠,而该掺杂区亦被部份剥除,只大约保留住位于该沟渠顶端边角处的该掺杂区;于该沟渠所暴露出之该基底表面形成一衬氧化层;于已形成该衬氧化层的该沟渠中填入一绝缘物质;以及剥除该罩幕层,以形成该浅沟渠隔离结构。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中以已图案化的该罩幕层为硬罩幕,植入该掺质于该基底中,以形成该掺杂区的步骤中,包括以一角度将该掺质植入。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该角度包括约为7-30。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中植入该掺质的能量约为10-50keV。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中植入该掺质的剂量约为1013-1016/cm2。6.如申请专利范围第1.3.4或5项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该掺质包括N型离子。7.如申请专利范围第1.3.4或5项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该掺质包括磷。8.如申请专利范围第1.3.4或5项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该掺质包括砷。9.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括利用已图案化的罩幕层当蚀刻罩幕,以于基底中形成沟渠,之后于沟渠所暴露出之基底的表面形成一层衬氧化层,再以绝缘材质填入此沟渠中,以形成浅沟渠隔离结构,其特征为:于基底中形成沟渠之前,以已图案化的罩幕层当硬罩幕,将掺质以一角度植入于基底中,以形成掺杂区。之后再于基底中形成沟渠,在形成沟渠的过程中,亦有部份的掺杂区被剥除,而保留住沟渠顶端边角处的掺杂区。在进行热氧化制程以形成衬氧化层的过程中,因为掺杂区的存在,可以提高沟渠顶端边角处的氧化程度,使沟渠顶端边角处的衬氧化层之厚度与他处的衬氧化层相当。10.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中将掺质植入基底中的角度约为7-30。11.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中掺质植入的能量约为10-50keV。12.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中掺质植入的剂量约为1013-1016/cm2。13.如申请专利范围第9.10.11或12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中掺质包括N型离子。14.如申请专利范围第9.10.11或12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中掺质包括磷。15.如申请专利范围第9.10.11或12项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中掺质包括砷。图式简单说明:第一图A至第一图F系绘示习知一种浅沟渠隔离结构的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图F系绘示根据本发明较佳实施例之一种浅沟渠隔离结构的制造方法。 |
