| 主权项 |
1.一种附有一支撑体、用于实施研磨期间固定半导体晶圆之晶圆支架(夹头),其中该支撑体系由柔软材料制成。2.如申请专利范围第1项之晶圆支架,其中该支撑体之萧耳A硬度为5至99。3.如申请专利范围第1或2项之晶圆支架,其中该支撑体系由聚胺甲酸酯制成。4.如申请专利范围第3项之晶圆支架,其中该支撑体系经过表面研磨至平整。5.一种制造双面研磨平整、圆边半导体晶圆之方法,其中半导体晶圆系自一单晶体切成,该半导体晶圆之两面及边缘均曾实施研磨,该半导体晶圆系固定在一晶圆支架之支撑体上,且在第一面实施研磨期间,半导体晶圆系固定在一附有柔软支撑体之晶圆支架上,在第二面实施研磨期间,半导体晶圆系固定在一附有刚硬支撑体之晶圆支架上。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该半导体晶圆自晶体切成后,半导体晶圆首先实施圆边,且在此操作期间,该半导体晶圆系固定在一附有柔软支撑体之晶圆支架上。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该半导体晶圆自晶体切成后,半导体晶圆之两个面首先实施研磨,继之半导体晶圆实施圆边工作,在实施圆边工作期间,半导体晶圆系固定在一附有刚硬支撑体之晶圆支架上。8.如申请专利范围第5.6或7项之方法,其中该半导晶圆自晶体切成后经过粗略清洁。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该半导体晶圆之两面经过研磨并实施圆边之后,再实施蚀刻及抛光。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该半导体晶圆经实施两个面研磨及圆边之后,继之施以抛光。11.一种制造双面研磨平整、圆边半导体晶圆之方法,其中该半导体晶圆系自一单晶体切成,该半导体晶圆之两面及边缘均曾实施研磨,该半导体晶圆系固定在一晶圆支架之支撑体上,且两面之研磨包括粗磨及细磨,其中在两面实施粗磨期间该半导体晶圆系固定在一附有柔软支撑体之晶圆支架上,在两面实施细磨期间该半导体晶圆系固定在一附有刚硬支撑体之晶圆支架上。图式简单说明:第一图:为半导体晶圆两面实施研磨的示意图,第一图a:示半导体晶圆两面既不平整亦不平行,第一图b:示半导体晶圆置于晶圆支架之刚硬支撑体上,第一图c:示经弹性变形之半导体晶圆放松,第一图d:示半导体晶圆再度受到弹性变形,第一图e:示半导体晶圆两面平行,但起伏不平仍然存在,第二图:示前面实施研磨时,半导体晶圆固定在附有一柔软支撑体之晶圆支架上,第二图a:示半导体晶圆两面并不平整且彼此不平行,第二图b:示前面实施研磨期间,半导体晶圆背面不平坦部分吸入支撑体内,第二图c:示半导体晶圆前面保持原状,第二图d:示半导体晶圆背面平行于参考面,第二图e:示半导体晶圆两面仍保持平整及平行。 |
