| 主权项 |
1.一种用于光阻涂膜的涂液组成物,其特征为由含水溶性膜形成成分与氟系表面活性剂所构成,上记水溶性膜形成成分为0.1-10重量%,且系由纤维素系聚合物,丙烯酸系聚合物,及乙烯系聚合物中所选出之至少一种化合物,又,该氟系表面活性剂为1-15重量%,且系由下面一般式(I)RfCOOH (I)(式中Rf系碳数2-20的饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基)所表示之化合物与烷醇胺的,以及下面一般式(II)R'fSO3H (II)(式中R'f系碳数2-20的饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基)所表示之化合物与烷醇胺的中选出的至少一种之化合物。2.如申请专利范围第1项之涂液组成物,其中一般式(I)所表示之化合物系,全氟庚烷酸、全氟辛烷酸中选出的至少1种之化合物。3.如申请专利范围第1项之涂液组成物,其中一般式(II)所表示之化合物系,全氟丙基磺酸、全氟辛基磺酸、全氟癸基磺酸中选出的至少1种之化合物。4.如申请专利范围第1项之涂液组成物,其中烷醇胺系,(-)乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中选出的至少一种之化合物。5.一种用于光阻涂膜的涂液组成物,其特征为于含有0.1-10重量%之水溶性膜形成成分与1-15重量%之氟系表面活性剂所构成的涂液组成物中,其中,表面活性剂系,下面一般式(IV)RfCOOM1 (IV)[式中,Rf系碳数2-20之饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟取代的氟化烃基,M1系氢原子或NR6R7R8R9(式中R6.R7.R8.R9系各别独立的含氢原子,羟基的碳数1-4之低级烷基、或碳数1-4之低级基)]所表示的含氟原子化合物,以及下面一般式(V)R'fSO3M2 (V)[式、R'f系碳数2-20之饱和或不饱和烃基的氢原子中之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基,M2系氢原子或NR6R7R8R9(式中R6.R7.R8.R9系各别独立的含氢原子、羟基的碳数1-4之低级烷基、或碳数1-4之低级烷基)]所表示的含氟原子化合物中的至少一种之化合物再加入500-10000ppm之下面一般式(III)[式中,R1系碳数5-18的烷基或烷氧基,R2系氢原子或碳数5-18的烷基,烷氧基、R3系一般式-SO3NZ4(式中Z系各别独立的氢原子、碳数1-2的烷基或碳数1-2的羟烷基)所表示的的N-取代或非取代的磺酸铵基,R4及R5系各别的氢原子或一般式-SO3NZ4(式中Z同前述)所表示的N-取代或非取代的磺酸铵基]所表示的阴离子性表面活性剂中选出的至少一种之化合物,又,上记水溶性膜形成成分系由纤维素系聚合物,丙烯酸系聚合物,及乙烯系聚合物中所选出之至少一种化合物。6.如申请专利范围第5项之涂液组成物,其中一般式(III)中的R1系C5-C18的烷基,R2系氢原子,R3,R4系各别的-SO3NH4,R5系氢原子。7.如申请专利范围第5项之涂液组成物,其中一般式(IV)所表示的含氟原子化合物系下面一般式(I)RfCOOH (I)(式中Rf系碳数2-20之饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基)所表示之化合物与烷醇胺的。8.如申请专利范围第7项之涂液组成物,其中一般式(I)所表示之化合物系,全氟庚烷酸、全氟辛烷酸中选出的至少一种之化合物。9.如申请专利范围第5项之涂液组成物,其中一般式(V)所表示的含氟原子化合物系,下面一般式(II)R'fSO3H (II)(式中Rf系碳数2-20的饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基)所表示之化合物与烷醇胺的。10.如申请专利范围第9项之涂液组成物,其中一般式(II)所表示的化合物系,全氟丙基磺酸、全氟辛基磺酸、全氟癸基磺酸中选出的至少一种之化合物,又,上记水溶性膜形成成分系由纤维素系聚合物,丙烯酸系聚合物,及乙烯系聚合物中所选出之至少一种化合物。11.一种用于光阻涂膜的涂液组成物,其特征为于如申请专利范围第5项之涂液组成物,其中,再加入100-10000ppm之下面一般式(VI)(式中,R10系碳数6-20的烷基)所表示之N-烷基-2-咯烷酮所构成。12.如申请专利范围第11项之涂液组成物,其中一般式(VI)所表示的N-烷基-2-咯烷酮系N-辛基-2-咯烷酮或N-十二烷基-2-咯烷酮。13.如申请专利范围第11项之涂液组成物,其中氟系表面活性剂系,下面一般式(IV)RfCOOM1 (IV)[式中Rf系碳数2-20的饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基,M1系氢原子或NR6R7R8R9(R6.R7.R8.R9系各别独立的含氢原子,羟基的碳数1-4之低级烷基、或碳数1-4之低级基)]所表示的含氟原子化合物,以及下面一般式(V)R'fSO3M2 (V)[式中,Rf系碳数2-20之饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基,M2系氢原子或NR6R7R8R9(其中R6.R7.R8.R9系各别独立的含氢原子、羟基的碳数1-4之低级烷基、或碳数1-4的低级烷基)]所表示的含氟原子化合物中的至少一种之化合物。14.如申请专利范围第13项之涂液组成物,其中一般式(IV)所表示的含氟原子化合物系,下面一般式(I)RfCOOH (I)(式中,Rf系碳数2-20的饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基)所表示之化合物与烷醇胺的。15.如申请专利范围第14项之涂液组成物,其中一般式(I)所表示的化合物系,全氟庚烷酸、全氟辛烷酸中选出的至少一种之化合物。16.如申请专利范围第13项之涂液组成物,其中一般式(V)所表示的含氟原子化合物系,下面一般式(II)R'fSO3H (II)(式中Rf系碳数2-20的饱和或不饱和烃基的氢原子之一部分或全部被氟原子取代的氟化烃基)所表示之化合物与烷醇胺的。17.如申请专利范围第16项之涂液组成物,其中一般式(II)所表示的化合物系,全氟丙基磺酸、全氟辛基磺酸、全氟癸基磺酸中选出的至少一种之化合物。18.一种光阻材料,其系使用申请专利范围第1项的涂液组成物于光阻膜上形成涂膜而得。19.一种光阻材料,其系使用如申请专利范围第5项的涂液组成物于光阻膜上形成涂膜而得。20.一种光阻材料,其系使用申请专利范围第11项的涂液组成物于光阻膜上形成涂膜而得。图式简单说明:第一图系,实施例1的光阻膜厚度与线状晶格之尺寸变动的关系曲线图。第二图系,实施例2的光阻膜厚度与线状晶格之尺寸变动的关系曲线图。第三图系,实施例3的光阻膜厚度与线状晶格之尺寸变动的关系曲线图。第四图系,实施例3于不使用本发明之涂液组成物,即未形成干扰防止膜情形下的光阻膜厚与线状晶格之尺寸变动的关系曲线图。第五图系,实施例4的光阻膜厚度与线状晶格之尺寸变动的关系曲线图。第六图系,实施例5的光阻膜厚度与线状晶格之尺寸变动的关系曲线图。 |
