| 摘要 |
<p>Beschrieben wird eine Anordnung mit einem steuerbaren Halbleiterbauelement (1) mit mindestens zwei in ein Halbleitersubstrat (2) eingebetteten Dotierungsgebieten (3, 4) und mindestens einer Gate-Elektrode (5) zur Steuerung des Halbleiterbauelements, einer leitenden Zuführung (7) zur Gate-Elektrode (5). In der leitenden Zuführung (7) ist eine Widerstandsschaltung (8) mit mindestens zwei parallelgeschalteten Wiederstandszweigen (9, 10) vorgesehen, wobei ein erster Teil der Widerstandszweige (9) zumindest ein Widerstandselement (11) aufweist, der restliche Teil der Widerstandszweige (10) zumindest ein Widerstandselement (12) sowie ein Bauelement (13) mit gleichrichtendem Verhalten aufweist.</p> |
