| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,并在该基底上形成一场效电晶体,该场效电晶体包括一源极/汲极区;于该基底上依序形成一介电层、一蚀刻终止层与一绝缘层;将该介电层、该蚀刻终止层与该绝缘层图案化,以形成一接触窗开口,裸露出该源极/汲极区;在该基底上形成一第一导体层,使其覆盖该绝缘层表面,并且填入该接触窗开口,与该源极/汲极区电性耦接;将该第一导体层图案化;以图案化之该第一导体层为罩幕,去除部份该绝缘层;于图案化之该第一导体层与该绝缘层之侧壁形成一导体间隙壁,使该导体间隙壁与该图案化之该第一导体层形成该电容器之一储存电极;以该蚀刻终止层为蚀刻终点,去除该绝缘层;于该导体间隙壁与该图案化之该第一导体层所裸露的表面形成一介电膜层;以及于该基底上形成并定义一第二导体层,以作为该电容器之一胞电极。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第一导体层之材质包括掺杂复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该蚀刻终止层之材质与该绝缘层具有不同的蚀刻率。4.如申请专利范围第3项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该蚀刻终止层之材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第3项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该蚀刻终止层之材质包括氮氧化矽。6.如申请专利范围第3项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该绝缘层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中以图案化之该第一导体层为罩幕,去除部份该绝缘层的方法包括非等向性蚀刻法。8.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中以图案化之该第一导体层为罩幕,去除部份该绝缘层昀方法包括乾式蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中形成该导体间隙壁的方法包括下列步骤:于该基底上形成一第三导体层;以及进行回蚀刻,以在该图案化之该第一导体层与该绝缘层之侧壁形成该导体间隙壁。10.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该导体间隙壁之材质包括掺杂复晶矽。11.如申请专利范围第9项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第三导体层之材质包括掺杂复晶矽。12.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除该绝缘层的方法包括等向性蚀刻法。13.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中去除该绝缘层的方法包括湿式蚀刻法。14.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该介电膜层之材质包括氧化矽。15.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该介电膜层之材质包括氮化矽层/氧化矽层结构。16.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该介电膜层之材质包括氧化矽层/氮化矽层/氧化矽层结构。17.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该介电膜层之材质包括五氧化二钽。18.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该第二导体层之材质包括掺杂复晶矽。19.一种动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,并在该基底上形成一场效电晶体,该场效电晶体包括一源极/汲极区;于该基底上依序形成一介电层、一氮化矽层与一氧化矽层;将该介电层、该氮化矽层与该氧化矽层图案化,以形成一接触窗开口,裸露出该源极/汲极区;在该基底上形成一第一复晶矽层,使其覆盖该氧化矽层表面,并且填入该接触窗开口,与该源极/汲极区电性耦接;将该第一复晶矽层图案化;以图案化之该第一复晶矽层为罩幕,透过非等向性蚀刻法,去除部份该氧化矽层;于该基底上形成一第二复晶矽层;将该第二复晶矽层回蚀刻,以在图案化之该第一复晶矽层与该氧化矽层之侧壁形成一导体间隙壁,使该导体间隙壁与图案化之该第一复晶矽层形成该电容器之一储存电极;以该氮化矽层为蚀刻终点,利用等向性蚀刻法,以去除该氧化矽层;于该导体间隙壁与该图案化之该第一复晶矽层所裸露的表面形成一介电膜层;以及于该基底上形成并定义一第三复晶矽层,以作为该电容器之一胞电极。20.如申请专利范围第19项所述之动态随机存取记忆体之电容器的制造方法,其中该介电膜层之材质包括氧化矽、氮化矽层/氧化矽层结构、氧化矽层/氮化矽层/氧化矽层结构与五氧化二钽其中之一。图式简单说明:第一图是动态随机存取记忆体元件之记忆胞的电路示意图;以及第二图A图至第二图F,其绘示依照本发明一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体的制造流程剖面图。 |
