| 主权项 |
1.一种冠状电容器的制造方法,系在一基底上进行,该基底至少已有一场氧化层与一导电结构形成于其上,且有一绝缘层覆盖于该导电结构与该场氧化层上,其中该绝缘层具有一接触窗口暴露出该基底,该制造方法包括下列步骤:形成一层状结构于该基底之该绝缘层上,并覆盖该接触窗口,其中该层状结构系由复数个复晶矽层与复数个半球型矽晶粒层交互堆叠而成;定义去除部分该些复晶矽层与该些半球型矽晶粒层,而至少完全保留该些半球型复晶粒层之最下层,以形成一凹槽;定义去除部分该些复晶矽层与该些半球型矽晶粒层,至暴露出该绝缘层为止;以及进行一选择性蚀刻步骤,蚀刻部分该些复晶矽层暴露出之表面,以形成一鳍状之下电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些复晶矽层与该些半球型矽晶粒层之厚度分别约为1000A。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些复晶矽层具有一掺质。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该掺质系为磷。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更进一步的在形成该凹槽的步骤之前,进行一热处理步骤。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该热处理步骤系在温度约为600℃下进行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该选择性蚀刻步骤系以一混酸溶液进行。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该混酸溶液包括氢氟酸、硝酸与去离子水。9.一种冠状电容器的制造方法,该制造方法包括下列步骤:提供一基底,该基底至少已有一场氧化层与一导电结构形成于其上,且有一绝缘层覆盖于该场氧化层与该导电结构上,其中该绝缘层具有一接触窗口暴露出该基底;依序形成一第一复晶矽层、一第一半球型矽晶粒层、一第二复晶矽层、一第二半球型矽晶粒层、一第三复晶矽层、一第三半球型矽晶粒层、一第四复晶矽层与一第四半球型矽晶粒层于该基底之该绝缘层上;去除部分该第二复晶矽层、该第二半球型矽晶粒层、该第三复晶矽层、该第三半球型矽晶粒层、该第四复晶矽层与该第四半球型矽晶粒层,以形成一凹槽暴露出该第二半球型矽晶粒层;去除部分该第一复晶矽层、该第一半球型矽晶粒层、该第二复晶矽层、该第二半球型矽晶粒层、该第三复晶矽层、该第三半球型矽晶粒层、该第四复晶矽层与该第四半球型矽晶粒层,至暴露出该绝缘层为止;以及进行一选择性蚀刻步骤,蚀刻部分该第一复晶矽层、该第二复晶矽层、该第三复晶矽层、与该第四复晶矽层,以形成一鳍状之下电极。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一复晶矽层、该第一半球型矽晶粒层、该第二复晶矽层、该第二半球型矽晶粒层、该第三复晶矽层、该第三半球型矽晶粒层、该第四复晶矽层与该第四半球型矽晶粒层之厚度约为1000A。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第一复晶矽层、该第二复晶矽层、该第三复晶矽层与该第四复晶矽层具有一掺质。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该掺质系为磷。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中更进一步的在形成该凹槽的步骤之前,进行一热处理步骤。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该热处理步骤系在温度约为600℃下进行。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该选择性蚀刻步骤系以一混酸溶液进行。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该混酸溶液包括氢氟酸、硝酸与去离子水。17.一种冠状电容器的制造方法,该制造方法包括下列步骤:提供一基底,该基底至少已有一场氧化层、一导电结构形成于其上,且有一绝缘层覆盖于该场氧化层与该导电结构上,其中该绝缘层具有一接触窗口暴露出该基底;依序形成一具掺杂之第一复晶矽层、一第一半球型矽晶粒层、一具掺杂之第二复晶矽层、一第二半球型矽晶粒层、一具掺杂之第三复晶矽层、一第三半球型矽晶粒层、一具掺杂之第四复晶矽层与一第四半球型矽晶粒层于该基底之该绝缘层上;进行一热处理步骤;去除部分该具掺杂之第二复晶矽层、该第二半球型矽晶粒层、该具掺杂之第三复晶矽层、该第三半球型矽晶粒层、该具掺杂之第四复晶矽层与该第四半球型矽晶粒层,以形成一凹槽暴露出该第二半球型矽晶粒层;去除部分该具掺杂之第一复晶矽层、该第一半球型矽晶粒层、该具掺杂之第二复晶矽层、该第二半球型矽晶粒层、该具掺杂之第三复晶矽层、该第三半球型矽晶粒层、该具掺杂之第四复晶矽层与该第四半球型矽晶粒层,至暴露出该绝缘层为止;以及以一混酸溶液进行选择性蚀刻,蚀刻部分该具掺杂之第一复晶矽层、该具掺杂之第二复晶矽层、该具掺杂之第三复晶矽层、与该具掺杂之第四复晶矽层,以形成一鳍状之下电极。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该第一复晶矽层、该第一半球型矽晶粒层、该第二复晶矽层、该第二半球型矽晶粒层、该第三复晶矽层、该第三半球型矽晶粒层、该第四复晶矽层与该第四半球型矽晶粒层之厚度分别约为1000A。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该掺质系为磷。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该热处理步骤系在温度约为600℃下进行。21.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该混酸溶液包括氢氟酸、硝酸与去离子水。图式简单说明:第一图示动态随机存取记忆体元件之记忆胞的电路示意图;第二图A至第二图D系绘示习知制造一种动态随机存取记忆体堆叠状电容的剖面示意图;以及第三图A至第三图F绘示依照发明一较佳实施例的一种冠状电容器的制造流程图。 |
