| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de recuit thermique pour plaquette de silicium consistant à procéder au recuit thermique d'une plaquette de silicium à une température égale ou supérieure à 1000 °C, c'est-à-dire inférieure au point d'ébullition du silicium, en atmosphère de gaz inerte, et à abaisser la température de la plaquette de silicium dans une atmosphère contenant de 1 à 60 % d'hydrogène. L'invention concerne également un procédé de recuit thermique d'une plaquette de silicium consistant à procéder au recuit thermique d'une plaquette de silicium en atmosphère réductrice renfermant de l'hydrogène, au moyen d'un dispositif de recuit thermique rapide, la vitesse d'abaissement de la température entre la température maximum du recuit thermique et 700 °C étant inférieure ou égale à 20 °C/sec. L'invention concerne enfin une plaquette de silicium, dans laquelle la densité des défauts cristallins au niveau de la partie globale de la plaquette de 1,0x104/cm3, celle de la partie superficielle de la plaquette, à savoir entre la surface et jusqu'à une profondeur de 0,5 νm, est inférieure ou égale à 1,0x104/cm3, celle de la surface de la plaquette est de 0,15/cm2, et la valeur P-V de la rugosité de la surface est inférieure ou égale à 1,0 nm.</p> |
