| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,其至少包括下列步骤:提供具有一沟渠的一基底,该沟渠在该基底表面具有一上边缘;在该基底上形成一蚀刻终止层,该蚀刻终止层具有一与该基底沟渠上边缘相关之开口;在该蚀刻终止层上形成一材料层,该材料层具有足够的厚度填满该基底之该沟渠;以及研磨去除该蚀刻终止层表面之该材料层而定义一填满沟渠的插塞,其中,该蚀刻终止层具有一上表面及一下表面,该上表面之一研磨速率较该下表面之一研磨速率与填满沟渠之该材料层相似。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该蚀刻终止层包括一矽氧氮化物的上层与一氮化矽的下层。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该矽氧氮化物的折射系数经由一光学测量后约为1.8-2.0左右。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该蚀刻终止层具有一上层与一下层,对填满该沟渠的材料层而言,该上层具有一第一研磨速率,该下层具有一第二研磨速率,该第一研磨速率大于该第二研磨速率。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,该蚀刻终止层之该开口以一连续式乾蚀刻制程形成。6.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,更进一步的步骤包括,在一单一制程步骤移除该上层与该下层。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,该移除步骤为一湿蚀刻制程。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法其中,该移除步骤以一包括热磷酸之溶液进行。9.一种浅沟渠隔离结构之制造方法其至以包括列步骤:提供具有一沟渠的一基底,该沟渠在该基底表面具有一上边缘;在该基底上形成一蚀刻终止层,该蚀刻终止层具有一与该基底沟渠该上边缘相关之开口;在该蚀刻终止层上形成一材料层,该材料层具有足够的厚度填满该基底之该沟渠,该沟渠材料包括氧化矽;以及研磨去除该蚀刻终止层表面之该材料层而定义一填满沟渠的插塞,其中,该蚀刻终止层具有一氮氧化物表面层及一下层,该氮氧化物表面层具有一氮氧化物研磨速率,该下层在一氧化研磨制程中具有一较慢的研磨速率。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该氮氧化物的折射系数经由一光学测量后约为1.8-2.0左右。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该下层包括一氮化矽层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中,该氧氮化物的折射系数经由一光学测量后约为1.8-2.0左右。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该氮化矽层之一折射系数为2.1左右。图式简单说明:第一图至第四图系显示一种习知技艺浅沟渠隔离结构制造流程剖面图。第五图至第十图系显示根据本发明较佳实施例浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图。 |
