发明名称 化学气相沉积设备与方法
摘要 本发明提供一基板支撑元件以及一净气导管,用以导引净化气体流过基板边缘,以及朝向反应室的外围。此净气导管包含数个配置于其内圈边缘的孔洞,用以提供净化气体通道,以及避免净化气体扰乱基板表面上的沉积化学反应。本发明亦提供一具有真空夹具的基板支撑元件,用以使基板牢固于基板支撑元件的上表面。此基板支撑元件包含一肩部,制程中净气导管系置于其上。本发明亦提供一种遮蔽基板边缘的方法,系使基板的边缘净化气体通入流入净气导管上的净气孔洞。
申请公布号 TW400546 申请公布日期 2000.08.01
申请号 TW087118719 申请日期 1998.11.10
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 郭信生;马哈巴杭;贾斯汀琼斯;劳伦斯雷;罗素尔艾尔汪格;常眉;亚斯霍克辛哈
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种用以遮蔽基板边缘的设备,其至少包含:一框架元件(frame member),具有复数个净气孔洞,形成于其上穿越过该框架元件,用以流过净化气体;且一内圈边缘部份,定义出该框架元件的一内部开口,用以遮蔽该基板边缘。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之框架元件系一环状物,且上述之净气孔洞朝上述内圈边缘部份的外部配置。3.如申请专利范围第1项所述之设备,其更包含一基座部份,该基座部份由上述之框架元件延伸,用以支撑上述之框架元件于一表面。4.如申请专利范围第3项所述之设备,其中上述之基座部份定义出一内部具有角度的中央表面。5.如申请专利范围第3项所述之设备,其更包含一个或多个对准元件,该对准元件配置于上述基座部份之上。6.如申请专利范围第5项所述之设备,其更包含一第二基座部份,该第二基座部份支撑上述框架元件于第二表面。7.一种用以处理基板的设备,其至少包含:a)一封闭区域,定义出一处理区;b)一基板支撑元件,配置于该封闭区域,用以支撑该基板;c)一处理气体进气口,连结于该封闭区域;d)一排气系统,连结于该封闭区域;e)一遮蔽元件,配置于该基板支撑元件之上,该遮蔽元件至少包含:1)一框架元件(frame member),具有复数个净气孔洞;以及2)一内圈边缘部份,定义出该框架元件的一内部开口,用以遮蔽该基板边缘;且f)一净化气体进气口,用以传送净化气体至基板边缘。8.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述之框架元件系一环状物,且上述之净气孔洞朝上述之内圈边缘部份的外部配置。9.如申请专利范围第7项所述之设备,其更包含一基座部份,该基座部份由上述之框架元件延伸,用以支撑上述之框架元件于一表面。10.如申请专利范围第9项所述之设备,其中上述之基座部份定义出一内部具有角度的中央表面。11.如申请专利范围第10项所述之设备,其更包含一个或多个对准元件,该对准元件配置于上述基座部份之上。12.如申请专利范围第11项所述之设备,其更包含一第二基座部份,用以支撑上述框架元件于第二表面。13.如申请专利范围第12项所述之设备,其更包含一支撑元件遮罩,该支撑元件遮罩配置于上述支撑元件肩部。14.如申请专利范围第13项所述之设备,其中上述支撑元件遮罩更包含一内壁、一外壁以及一该内壁与该外壁间的连结元件。15.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述支撑元件遮罩的上述内壁,以及上述支撑元件遮罩定义出一净化气体通道。16.如申请专利范围第14项所述之设备,其中上述支撑元件遮罩的上述外壁,提供一对准上述之支撑元件遮罩的对准表面。17.如申请专利范围第7项所述之设备,其更包含一个或多个隔离元件(spacing member),该隔离元件配置于上述内圈边缘之下表面。18.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述支撑元件包含一真空夹具。19.一种遮蔽基板边缘的方法,其至少包含:a)提供一遮蔽元件,配置于该基板上,该遮蔽元件至少包含:1)一框架元件(frame member),具有复数个净气孔洞,用以流过净化气体;以及2)一内圈边缘部份,定义出该框架元件的一内部开口,用以遮蔽该基板边缘。b)通入一净化气体至基板边缘,然后流过该净气孔洞。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之净化气体的流速约为100sccm至10000sccm。21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之净化气体的流速约为500sccm至3000sccm。22.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之遮蔽元件系配置于基板上方5密尔(mil)至10密尔(mil)的距离。23.如申请专利范围第19项所述之方法,其中上述之遮蔽元件系配置于基板上方10密尔(mil)至20密尔(mil)的距离。24.如申请专利范围第19项所述之方法,其更包含:c)提供一基板背压(backside pressure),约在1.5至5托尔(Torr)间。25.如申请专利范围第19项所述之方法,其更包含:c)维持基板温度约在摄氏170度至260度。26.一种遮蔽基板边缘的方法,其至少包含:a)提供一处理设备,其至少包含:1)一封闭区域,定义出一处理区;2)一基板支撑元件,配置于该封闭区域,用以支撑该基板;3)一处理气体进气口,连结于该封闭区域;4)一排气系统,连结于该封闭区域;5)一遮蔽元件,配置于该基板支撑元件之上,该遮蔽元件至少包含:)一框架元件(frame member),具有复数个净气孔洞;且)一内圈边缘部份,定义出该框架元件的一内部开口,用以遮蔽该基板边缘;且6)一净化气体进气口,连结于deliver净化气体邻近于基板边缘;b)使净化气体流入该净化气体进气口;且c)通入净化气体至基板边缘,然后流过该净气孔洞。图式简单说明:第一图系一用于化学气相沉积(CVD)的习知设备。第二图系本发明之化学气相沉积(CVD)设备的剖面图。第三图系第二图中之设备的部份爆炸图。第四图系本发明之净气导管的俯视图。第五图系本发明之浮气导管的另一实施例。
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