| 主权项 |
1.一种形成光阻图样之方法,包含下列步骤:施加一化学增强型正型光阻膜于待蚀刻层上,接着进行曝光及显像,藉此形成一光阻图样,及一以于特定波长具有一单峰之辐射照射光阻图样全表面。2.如申请专利范围第1项之形成光阻图样之方法,其进一步包含于照射后加热光阻图样以及待蚀刻层之步骤。3.如申请专利范围第1项或第2项之形成光阻图样之方法,其中该辐射照射量系大于或等于化学增强型正光阻膜灵敏度之加倍。4.如申请专利范围第1项之形成光阻图样之方法,其中该光阻膜对光之折射率于照射后比较照射前之折射率提高3%或以上。5.如申请专利范围第1项之形成光阻图样之方法,其中该光阻膜之线宽于照射后比较于照射前光阻图样之线宽收缩5%或以上。 |
