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发明名称 Ein-Lagenresist Abhebeverfahren zur Erzeugung eines Musters auf einem Träger
摘要
申请公布号 DE69515788(T2) 申请公布日期 2000.09.07
申请号 DE19956015788T 申请日期 1995.08.24
申请人 NGK INSULATORS, LTD. 发明人 HSU, DUANFU STEPHEN
分类号 G03F7/26;G03F7/16;G03F7/40;G03F7/42;H01L21/027;H05K3/02;H05K3/06;H05K3/14;(IPC1-7):G03F7/16 主分类号 G03F7/26
代理机构 代理人
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