| 主权项 |
1.一种于半导体元件中形成接触窗(Contact hole)之方法,该方法至少包含下列步骤:形成该半导体元件之电晶体结构;沈积一氧化层(Oxide layer)于该电晶体结构之上;定义一光阻层于该氧化层表面之上;执行第一非等向性蚀刻(Anisotropic etching)制程于该氧化层上,以成一凹穴(Cave)于该氧化层之上;沈积一高分子(Polymer)层覆盖于该电晶体结构之上;执行一第二非等向性蚀刻制程于该氧化层与该高分子层上;除去该光阻层,以形成该接触窗于该半导体元件之中。2.如申请专利范围第1项之方法,系于一单一之反应室(Chamber)中执行。3.如申请专利范围第1项之方法,更包含调整该高分子层之厚度以控制该接触窗之直径之步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之接触窗系酒瓶状(Wineglass-shape)接触窗。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二非等向性蚀刻制程,系形成一高分子间隙壁层(Spacer)覆于部份该氧化层之表面。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之高分子间隙壁层系位于该光阻层之旁侧。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述除去该光阻层之步骤,包含除去该高分子间隙壁层之步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述高分子层系利用10至50sccm的C4F8.20至100sccm的CHF3.50至300sccm的CO、以及50至500sccm的Ar之混合气体来沈积。9.一种于半导体元件中形成酒瓶状(Wineglass-shape)接触窗(Contact hole)之方法,该方法至少包含下列步骤:形成该半导体元件之电晶体结构;沈积一氧化层(Oxide layer)于该电晶体结构之上;定义一光阻层于该氧化层表面之上;执行第一非等向性蚀刻(Anisotropic etching)制程于该氧化层上,以成一凹穴(Cave)于该氧化层之上;沈积一高分子(Polymer)层覆盖于该电晶体结构之上;执行一第二非等向性蚀刻制程于该氧化层与该高分子层上,用以形成一高分子间隙壁层(Spacer)位于该光阻层之旁侧;及除去该光阻层,以形成该接触窗于该半导体元件之中。10.如申请专利范围第9项之方法,系于一单一之反应室(Chamber)中执行。11.如申请专利范围第9项之方法,更包含调整该高分子层之厚度以控制该接触窗之直径之步骤。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之高分子间隙壁层系覆盖于部份之该氧化层之上。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述除去该光阻层之步骤,包含除去该高分子间隙壁层之步骤。14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述高分子层系利用10至50sccm的C4F8.20至100sccm的CHF3.50至300 sccm的CO、以及50至500sccm的Ar之混合气体来沈积。图式简单说明:第一图为定义一光阻层于氧化层表面之切面结构图;第二图描绘对第一图之晶圆执行去残留制程执行后的晶圆切面结构图;第三图描绘对第二图之晶圆执行等向性蚀刻制程后之切面结构图;第四图描绘对第三图之晶圆在执行非等向性蚀刻制程后,所形成之接触窗切面结构图;第五图在第四图之晶圆中除去光阻层后之接触窗切面结构图;第六图描绘在本发明较佳实施例中,定义一光阻层于氧化层表面之切面结构图;第七图描绘对第六图之晶圆执行非等向性蚀刻后的晶圆切面结构图;第八图描绘在第七图之晶圆沈积高分子层后之切面结构图;第九图描绘对第八图之晶圆继续执行非等向性蚀刻制程所形成之接触窗切面结构图;及第十图在第九图之晶圆中,除去光阻层后之接触窗切面结构图。 |
