| 主权项 |
1.一种化学气相沉积室之清洁方法,适用于化学气相沉积金属制程之后,该清洁方法包括下列步骤:供给一激发电浆的媒介气体与一具清洁作用的气体,流入该沉积室;提供一电源电力,以点燃该沉积室中的混合气体电浆;以及以该混合气体电浆清洁该沉积室。2.如申请专利范围第1项所述之清洁方法,其中该媒介气体包括氩气。3.如申请专利范围第1项所述之清洁方法,其中该媒介气体包括氮气。4.如申请专利范围第1项所述之清洁方法,其中该气体包括氟化氮。5.如申请专利范围第1项所述之清洁方法,其中该媒介气体流速与该气体流速比为1:4左右,该媒介气体与该气体的操作压力为6Torr左右。6.如申请专利范围第1项所述之清洁方法,其中该电源电力的功率为100-600瓦特左右。7.如申请专利范围第1项所述之清洁方法,其中以该混合气体电浆清洁该沉积室的时间为10-300秒左右。8.一种化学气相沉积室之清洁方法,适用于化学气相沉积金属制程之后,该清洁方法包括下列步骤:放置一模拟晶片于沉积室中,以保护该沉积室之加热器;供给一激发电浆的媒介气体与一具清洁作用的气体,流入该沉积室;提供一电源电力,以点燃该沉积室中的混合气体电浆;以该混合气体电浆清洁该沉积室;以及从该沉积室取出该模拟晶片,以完成该沉积室清洁程序。9.如申请专利范围第8项所述之清洁方法,其中该媒介气体包括氩气。10.如申请专利范围第8项所述之清洁方法,其中该媒介气体包括氮气。11.如申请专利范围第8项所述之清洁方法,其中该气体包括氟化氮。12.如申请专利范围第8项所述之清洁方法,其中该媒介气体流速与该气体流速比为1:4左右,该媒介气体与该气体的操作压力为6Torr左右。13.如申请专利范围第8项所述之清洁方法,其中该电源电力的功率为100-600瓦特左右。14.如申请专利范围第8项所述之清洁方法,其中以该混合气体电浆清洁该沉积室的时间为10-300秒左右。图式简单说明:第一图显示一个化学气相沉积法反应器的结构图;以及第二图显示本发明一较佳实施例之一种化学气相沉积室的清洁方法的流程图。 |
