三井结构及其制造方法

摘要

一种三井结构与其制造方法，可应用于埋入式动态随机存取记忆体的制造上。对在第二型源极和第二型深井之间的第一型基底局部区域进行第一型离子的植入步骤，以在第二型源极和第二型深井之间形成第一型封锁掺杂区。

主权项

1.一种三井结构的制造方法,用于具有三井结构的埋入式动态随机存取记忆体记忆胞的制造上,该三井结构的制造方法包括:提供一第一型基底,该第一型基底至少包括:一第二型电晶体,包括一第二型闸极和一第二型源极和一第二型汲极,该第二型闸极位于该第一型基底上方,该第二型源极和该第二型汲极分别位于该第二型闸极两侧的该第一型基底中;一元件隔离结构位于该第一型基底中,该元件隔离结构围绕该第二型电晶体;一第二型隔离井区,位于该元件隔离结构之下方的第一型基底中;一第二型深井,位于该第二型电晶体下方的该第一型基底中;以及一第一型井区,位于被该第二型隔离井区和该第二型深井所包围之第一型基底中;以及对在该第二型源极和该第二型深井之间的该第一型基底局部区域进行一第一型离子的植入步骤,形成一第一型封锁掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之三井结构的制造方法,其中更包括植入一第二型离子于该第二型源极和该第一型封锁掺杂区之间,以形成一第二型插塞掺杂区。3.如申请专利范围第2项所述之三井结构的制造方法,其中植入该第二型离子的能量约70keV。4.如申请专利范围第2项所述之三井结构的制造方法,其中植入该第二型离子的浓度约31015cm-3。5.如申请专利范围第1项所述之三井结构的制造方法,其中该第一型系为N型,该第二型为P型。6.如申请专利范围第1项所述之三井结构的制造方法,其中该第一型系为P型,该第二型为N型。7.如申请专利范围第1项所述之三井结构的制造方法,其中该第一型为P型时,该第一型离子包括包括硼离子。8.如申请专利范围第1项所述之三井结构的制造方法,其中该第一型离子的植入剂量约11013cm-3。9.如申请专利范围第1项所述之三井结构的制造方法,其中该第一型离子的植入能量约200keV。10.一种三井结构,用于具有三井结构的埋入式动态随机存取记忆体记忆胞的结构上,该三井结构包括:一第一型基底,该第一型基底至少包括:一第二型电晶体,包括一第二型闸极和一第二型源极和一第二型汲极,该第二型闸极位于该第一型基底上方,该第二型源极和该第二型汲极分别位于该第二型闸极两侧的该第一型基底中;一元件隔离结构位于该第一型基底中,该元件隔离结构围绕该第二型电晶体;一第二型隔离井区,位于该元件隔离结构之下方的第一型基底中;一第二型深井,位于该第二型电晶体下方的该第一型基底中;以及一第一型井区,位于被该第二型隔离井区和该第二型深井所包围之第一型基底中;以及一第一型封锁掺杂区,位在该第二型源极和该第二型深井之间。11.如申请专利范围第10项所述之三井结构,其中更包括一第二型插塞掺杂区,位于该第二型源极和该第一型封锁掺杂区之间。12.如申请专利范围第11项所述之三井结构,其中该第二型插塞掺杂区的第二型离子浓度约31015cm-3。13.如申请专利范围第10项所述之三井结构,其中该第一型系为N型,该第二型为P型。14.如申请专利范围第10项所述之三井结构,其中该第一型系为P型,该第二型为N型。15.如申请专利范围第10项所述之三井结构,其中该第一型离子掺杂区的浓度约11013cm-3。图式简单说明:第一图至第三图是依据本发明之利用三井制程来制造DRAM记忆胞区的部份制造流程结构剖面图。