| 主权项 |
1.一种陶瓷之接合构造,其为藉着接合层而使陶瓷构件和金属接合构件接合之耐氧化性陶瓷之接合构造,其中含有至少钼之金属所构成之埋设构件系埋设于该陶瓷构件中,该埋设构件之一部分在和该陶瓷构件之该接合层接触之接合面处露出,而形成金属露出部,藉由各个该接合层而将该陶瓷构件和该金属露出部沿着该接合面而接合到该金属接合构件,该接合层之主成份为择自由金、铂、和钯所组成之族群中之一种以上之金属。2.如申请专利范围第1项所述之陶瓷之接合构造,其中该接合层中,含有择自由钛、锆、铪、钒、铌、和镁所组成之族群中之一种以上之活性金属。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之陶瓷之接合构造,其中钼或钼合金制之端子埋设在该陶瓷构件中作为该埋设构件,该端子之金属露出部露出该接合面,藉由该接合层而使该金属接合构件接合在该端子之该金属露出部和该陶瓷构件之表面上。4.如申请专利范围第1项所述之陶瓷之接合构造,其中孔设置于该陶瓷构件中,金属露出部露出该孔,筒状气氛保护体插入该孔内,电力供给材料和应力缓和用之低热膨胀导体插入该筒状气氛保护体之内侧中,该筒状气氛保护体和该电力供给材料接合在一起,该低热膨胀导体和该筒状气氛保护体接合于该埋设构件之该金属露出部。5.如申请专利范围第4项所述之陶瓷之接合构造,其中埋设构件为钼或钼合金制之端子,该端子电气连接于该低热膨胀导体,金属电极埋设于该陶瓷构件中,该端子电气连接于该金属电极。6.一种陶瓷之接合构造的制造方法,其为制造申请专利范围第1项所述之陶瓷之接合构造的方法,其包括将该埋设构件之一部分露出于该陶瓷构件之该接合面,以形成该金属露出部;使该接合层之材料介于该接合面和该金属接合构件之间;以及藉由在非氧化性条件下加热,而使该陶瓷构件和该金属露出部接合于各个该金属接合构件。7.如申请专利范围第6项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中在该接合面和该金属接合构件之间,由该接合面开始,依序配置择自由钛、锆、铪、钒、铌、和镁所组成之族群中之一种以上之活性金属材料,以及择自由金、铂、钯所组成之族群中之一种以上之金属为主成份之焊材,以作为该接合层之材料。8.如申请专利范围第7项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中择自由金、铂、钯所组成之族群中之一种以上之金属所构成的膜,形成在该活性金属材料之表面上。9.如申请专利范围第6项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中在该接合面和该金属接合构件之间,配置有由择自由金、铂、钯所组成之族群中之一种以上之金属,以及择自由钛、锆、铪、钒、铌、和镁所组成之族群中之一种以上之活性金属所形成之合金所构成之焊材,以作为该接合层之材料。10.如申请专利范围第7至9项之任一项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中在该接合层之材料中含有镍。11.如申请专利范围第6项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中该埋设构件为钼或钼合金所构成。12.如申请专利范围第11项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中在预先使用择自由金、铂、钯所组成之群中之一种以上之金属为主成份之焊材焊接之后,该埋设构件接合于该金属接合构件。13.如申请专利范围第12项所述之陶瓷之接合构造的制造方法,其中系藉由热处理来熔解该涂布材而进行涂布。图式简单说明:第一图为本发明之一实施形态之接合构造的剖面图。第二图显示埋设有金属电极3和粉末烧结体之成形体11的成形体10之剖面图。第三图显示孔4在基材2中形成,使端子本体5露出孔4之状态的剖面图。第四图为端子14之周边的扩大图。第五图显示制造第一图之接合构造前之状态的剖面图。第六图(a)显示积层焊材41和活性金属箔43之前之状态的剖面图,(b)显示焊材45的剖面图。第七图显示在使用端子47的实施形态中,接合前之状态的剖面图。第八图显示不直接接合低热膨胀导体7和电力供给材料8之实施形态之接合构造的剖面图。第九图显示将致密体32埋设在基材2中之实施形态的剖面图。第十图显示使用具有氧化性被膜35之筒状气氛保护体33时之实施形态之接合构造的剖面图。第十一图显示使用具有氧化性被膜35之气氛保护体37时之实施形态之接合构造的剖面图。第十二图(a)、第十二图(b)、第十二图(c)为说明气氛保护体33.37之制造制程的剖面图。第十三图显示对于基材2和电极3直接接合低热膨胀导体7之实施形态的接合构造的剖面图。 |
