| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体储存装置,包含:一半导体单元阵列,含有数个非挥发性记忆单元,排列为矩阵形式,每一记忆单元含有一具备漂浮闸之单元电晶体,各记忆单元位于由数个字元线及数个位元线形成之交叉点处,该记忆单元阵列对于被选择之记忆单元至少操作在写入模式,且对数个该记忆单元至少操作在抹除模式,一位址选择电路,对应于一第一电压且根据该第一电压加一选择信号至各该字元线,一电压建立电路,用以建立一第二电压,该第二电压小于第一电压一设定电压値,及一行控制电路,对应于该第二电压,且自该第二电压选取并提供一第一信号,或自一低于该第二电压之一第三电压选取并提供一第二信号至一被选择之位元线。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该电压建立电路具有一分开装置用以分割该第一电压。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该分开装置包含一金属氧化物半导体电晶体,其闸极与汲极彼此连接,及一定电流电路,或该分开装置包含二极体及一定电流电路。4.如申请专利范围第2项之装置,其中该分开装置包含一具有数个电阻串级联接电路。5.如申请专利范围第2项之装置,其中该电压建立电路含有一金属氧化物半导体电晶体,其汲极连接至该第一电压,闸极连接至一参考电压,源极处则产生该第二电压。6.如申请专利范围第1项之装置,其中该行控制电路之选择线连接至个别记忆单元之控制闸,且将该第一信号或该第二信号施加至该被选择之选择线。7.如申请专利范围第6项之装置,其中个别之记忆单元具有一第一选择电晶体及一第二选择霍晶体,第一选择霞晶体之一端点连接至该选择线之电流路径,另一端点连接至该控制闸极,第二选择电晶体之一端点连接至该位元线之一电流路径,另一端点连接至该单元霍晶体之一电流路径,该二选择电晶体之操作依据该字元线之选择。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该第二信号经由该第一选择电晶体施加至该控制闸极,而该第一信号经由第二选择电晶体于写入模式时施加至该单元电晶体之该电流路径。9.如申请专利范围第7项之装置,其中该第一信号经由该第一选择电晶体施加至该控制闸极,而该第二信号经由该第二选择电晶体于写入模式时施加至该单元电晶体之该电流路径。图式简单说明:第一图显示一传统EEPROM之主要部分的电路图;第二图为加于各节点之电压状态表;第三图为显示于第一图之一行控制电路之方块图;第四图为显示于第三图之开关电路之细部方块图;第五图为根据本发明之一实施例之EEPROM主要部分之电路图;以及第六图A-第六图E显示与第五图不同的电压建立电路。 |
