发明名称 USE OF A METHOD FOR THE PLASMA-SUPPORTED REACTIVE DEPOSITION OF A MATERIAL
摘要 <p>Werkstücke werden an einer Werkstückträgeranordnung (24), bezüglich dem Bereich höchster Plasmadichte eines Plasmastrahls (1) versetzt, angeordnet und einer reaktiven Beschichtung unterworfen bei einer Abscheidungsrate von mindestens 400 nm/min. und dabei einer Temperatur von höchstens 550 °C.</p>
申请公布号 WO2000066806(A1) 申请公布日期 2000.11.09
申请号 CH2000000208 申请日期 2000.04.11
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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