| 主权项 |
1.一种具有高电容量之电容器的制造方法,系包含:在一半导体基体上形成一不纯物层;在该半导体基体之上形成一绝缘薄膜;在该不纯物层之上形成一第一接触洞;形成一被以As+掺杂之第一多晶矽层图案,其系覆盖该第一接触洞与该绝缘薄膜之一上表面的一部分;在第一多晶矽层图案上形成一矽化钨薄膜图案;将该半导体基体回火;在该矽化钨薄膜图案与该绝缘薄膜上形成一第一绝缘薄膜;在该第一绝缘薄膜上形成一第二绝缘薄膜;在该矽化钨薄膜图案之一上表面的一被预定部分上形成一第二接触洞,藉此暴露一部分的该矽化钨薄膜图案并且接着形成第一与第二绝缘薄膜图案;藉由将与该矽化钨薄膜图案呈接触状态的该第一绝缘薄膜图案之一部分移除,来在该矽化钨薄膜图案与该第二绝缘薄膜图案之间形成一空间;在包括有该第二绝缘薄膜图案之一上表面的一部分与该第二接触洞与该空间之内壁之该矽化钨薄膜图案上形成一电容器之下电极;在该下电极之一外部表面上形成一介电层;及在该介电层与该第二绝缘薄膜图案之上形成一上电极。2.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该电容器之该下电极为一多晶矽层。3.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该电容器之该上电极为一多晶矽层。4.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该电容器之该介电层为一氮化矽薄膜。5.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该电容器之该介电层为一氧化矽薄膜。6.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该第一绝缘薄膜图案是一由化学气相沉积法(CVD)所形成的氧化矽薄膜。7.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中形成该第一多晶矽层图案与该矽化钨薄膜图案之步骤包含:在该绝缘薄膜上与在该第一接触洞中形成该第一多晶矽层;将As+植入该第一多晶矽层中;在该第一多晶矽层上形成该矽化钨薄膜;将该半导体基体在一N2的气氛下回火;及将该矽化钨薄膜与该第一多晶矽层依序地形成图案。8.如申请专利范围1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该第二绝缘层为BPSG。9.如申请专利范围1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中移除与该矽化钨薄膜图案呈接触状态之该第一绝缘薄膜图案之该部分的步骤包含:将该半导体基体置放在氟化氢溶液中;及将该半导体基体置放在被缓冲的氧化蚀刻剂中。10.如申请专利范围1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该介电层之形成是以氧化该电容器之该下电极。11.如申请专利范围第1项之具有高电容量之电容器的制造方法,其中该介电层的形成是运用氮气以CVD来形成一氮化矽薄膜。12.一种具有高电容量之电容器的制造方法,其系包含:在一半导体基体上形成一不纯物层;在该半导体基体之上形成一绝缘薄膜;在该不纯物层之上形成一第一接触洞;形成一被以As+掺杂的第一多晶矽层图案,其系覆盖该第一接触洞与该绝缘薄膜之一上表面的一部分;在该第一多晶矽层图案上形成一矽化钨薄膜图案;将该半导体基体回火;在该矽化钨薄膜图案与该绝缘薄膜上形成一第一绝缘薄膜;在该第一绝缘薄膜上形成一第二绝缘薄膜;在该矽化钨薄膜图案之一上表面之一被预定部分上形成一第二接触洞,藉此暴露一部分的该矽化钨薄膜图案,并且接着形成第一与第二绝缘薄膜图案;将该半导体基体置放在氟化氢溶液中,藉此移除在该矽化钨薄膜图案上被形成的该第一绝缘薄膜图案的一部分;在该矽化钨薄膜图案与该第二绝缘薄膜图案之一上表面的一部分上,以及在该第二接触洞之内壁形成一电容器之一下电极;在该下电极之一外表面上形成一介电层;及在该介电层与该第二绝缘薄膜图案之上形成一上电极。图式简单说明:第一图A至第一图G为依序地举例说明一传统鳍型电容器的制造方法之垂直横截面图;第二图A至第二图G为根据本发明依序地举例说明一种具有高电容器之电容器的制造方法之垂直横截面图。 |
