| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的制造方法,它包括下述工艺,在绝缘表面形成半导体层;将含金属的结晶促进物质选择性加至半导体层中至少一个第一部分;用结晶促进物质使半导体层结晶;选择性地引入掺杂剂,在半导体层中形成源区和漏区,其中至少一个区包含半导体层的第二部分,它还包括在结晶工艺前对半导体进行图案制作的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1275796A | 申请公布日期 | 2000.12.06 |
| 申请号 | CN99118537.4 | 申请日期 | 1994.02.15 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，它包括以下的工艺：在一绝缘表面上形成一半导体层；将一种含金属的结晶促进物质选择性地涂布至所述半导体层的至少一个第一部分；用所述促进物质使所述半导体层进行结晶，其中，结晶是通过所述半导体层，从所述第一部分开始，在所述半导体层的第二部分终止；通过选择性地引入一种掺杂剂杂质，在所述半导体层中形成源区和漏区；其中，所述源区和漏区中的至少一个区包含所述半导体层的第二部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||