| 主权项 |
1.一种防止钥匙孔形成之护层之制造方法,适用于一已形成有元件之基底,该制造方法至少包括:在该基底上形成一导电层;在该导电层上形成一定义之罩幕层;在该罩幕层上形成一间隙壁;以该罩幕层与该间隙壁为罩幕,定义该导电层;去除该间隙壁,去除部分该导电层,使该导电层具有一上窄下宽的轮廓;去除该罩幕层;以及在该导电层上形成一护层。2.如申请专利范围第1项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中导电层包括金属层。3.如申请专利范围第1项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中在该罩幕层上形成一间隙壁的步骤更包括在该罩幕层上形成一材料层;以及以该罩幕层为蚀刻终点,回蚀刻该材料层,形成该间隙壁。4.如申请专利范围第3项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该材料层与该罩幕层具有不同的蚀刻选择率。5.如申请专利范围第3项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该材料层包括氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该罩幕层包括TEOS氧化物。7.一种防止钥匙孔形成之护层之制造方法,适用于一已形成有元件之基底,该制造方法至少包括:在该基底上依序形成一金属层与一抗反射涂覆层;在该抗反射涂覆层上形成一定义之绝缘层;在该绝缘层上形成一间隙壁;以该绝缘层与该间隙壁为罩幕,定义该抗反射涂覆层与该金属层;去除该间隙壁与部分该金属层,使该金属层具有一梯形轮廓;去除该绝缘层与该抗反射涂覆层;以及在该金属层上形成一护层。8.如申请专利范围第7项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该抗反射涂覆层包括氮化钛。9.如申请专利范围第7项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中在该绝缘层上形成一间隙壁的步骤更包括在该绝缘层上形成一材料层;以及以该绝缘层为蚀刻终点,同蚀刻该材料层,形成该间隙壁。10.如申请专利范围第9项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该材料层与该绝缘层具有不同的蚀刻选择率。11.如申请专利范围第9项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该材料层包括氮化矽层。12.如申请专利范围第7项所述之防止钥匙孔形成之护层之制造方法,其中该绝缘层包括TEOS氧化物。13.一种具有梯形轮廓之金属层之制造方法,该制造方法至少包括在具有一金属层与一抗反射涂覆层之一基底上形成一定义之罩幕层;在该罩幕层侧边形成一间隙壁;以该罩幕层与该间隙壁为罩幕,定义该抗反射涂覆层与该金属层;去除该间隙壁、部分该抗反射涂覆层与部分该金属层,使该金属层具有一梯形轮廓;以及去除该罩幕层与该抗反射涂覆层。14.如申请专利范围第13项所述具有梯形轮廓之金属层之制造方法,其中该罩幕层包括TEOS氧化物。15.如申请专利范围第13项所述具有梯形轮廓之金属层之制造方法,其中在该罩幕层上形成一间隙壁的步骤更包括在该罩幕层上形成一材料层;以及以该罩幕层为蚀刻终点,回蚀刻该材料层,形成该间隙壁。16.如申请专利范围第13项所述之具有梯形轮廓之金属层之制造方法,其中该材料层包括氮化矽层。17.如申请专利范围第13项所述之具有梯形轮廓之金属层之制造方法,其中在去除该罩幕层后更包括在该金属层上形成一护层的步骤。图式简单说明:第一图A至第一图B系显示一种习知在金属层蚀刻后覆盖一护层时形成钥匙孔的半导体制程剖面图;以及第二图A至第二图D系显示根据本发明较佳实施例防止钥匙孔护层形成之半导体制程剖面图。 |
