电子封装

摘要

本发明揭露一种电子封装，其系在半导体装置及印刷电路板形成具方向性或不具方向性之焊锡接点阵列，焊锡接点阵列可使用相同或不同熔点之焊锡接点，令半导体装置及印刷电路板之焊锡接点接触，经过回焊使二者形成永久性连接。前述步骤后再继续进行开路/短路测试，以表面黏着技术完成其他封装组件之安装，依需要进行电讯测试，为印刷电路板上之半导体装置形成封装胶体，以及继续完成其他组装之制程，可获得一线上连续组装制程，进而达到完全自动化生产之目标。本发明能够增加焊锡接点抗剪应力强度及其可靠度，改善积体电路密度提高后电路连接扇出之问题，同时完成从半导体装置成品或半成品至主机板生产之自动化系统一贯作业。

主权项

1.一种电子封装方法,包括下列步骤:于一半导体晶粒形成焊锡接点阵列:于一载具形成焊锡接点阵列;令该半导体晶粒之该焊锡接点阵列接触该载具之该焊锡接点阵列;以及回焊,促使该半导体晶粒与该载具形成永久性连接。2.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,该载具系BGA基板,因而与该半导体晶粒形成BGA封装者。3.如申请专利范围第2项所述之电子封装方法,其中,该二焊锡接点阵列系具有方向性者。4.如申请专利范围第2或3项所述之电子封装方法,更包括下列步骤:于该BGA封装形成焊锡接点阵列;于-PCB形成焊锡接点阵列;令该BGA封装之该焊锡接点阵列接触该PCB之该焊锡接点阵列;以及回焊,促使该BGA封装与该PCB形成永久性连接。5.如申请专利范围第4项所述之电子封装方法,其中,该BGA封装与该PCB之该焊锡接点阵列系具有方向性者。6.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,该载具系PCB,因而与该半导体晶粒形成覆晶封装者。7.如申请专利范围第6项所述之电子封装方法,其中,该二焊锡接点阵列系具有方向性者。8.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点系选自锡/铅/铟/铋/银所形成之合金者。9.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点系聚合物者。10.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点阵列包括高熔点之第一组接点及低熔点之第二组接点者。11.如申请专利范围第10项所述之电子封装方法,其中,该回焊步骤最高温度系介于180oC至250oC之间者。12.如申请专利范围第11项所述之电子封装方法,其中,该回焊步骤大于180oC温度之通过时间系介于约30秒至150秒之间者。13.如申请专利范围第10项所述之电子封装方法,其中,该第一组焊锡接点系含约70%Pb以上之锡铅合金,该第二组焊锡接点系含约63%Sn、37%Pb之锡铅合金者。14.如申请专利范围第10项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点阵列之最外一列接点系包含于该第一组焊锡接点之中者。15.如申请专利范围第10项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点阵列之角落接点系包含于该第一组焊锡接点之中者。16.如申请专利范围第10项所述之电子封装方法,其中,该第一组焊锡接点包括有哑接点者。17.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,该形成焊锡接点阵列之制程系选自纲板印刷、刚板印刷、射出锡球及锡球植入所组成之群组者。18.如申请专利范围第4项所述之电子封装方法,其中,该形成焊锡接点阵列之制程系选自纲板印刷、刚板印刷、射出锡球及锡球植入所组成之群组者。19.如申请专利范围第4项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自主机板、通讯纲路板、记忆模组板、周边卡、DSP卡、MODEM卡、PCMCIA卡及掌上型主板所组成之群组者。20.如申请专利范围第4项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自FR4.BT、聚亚醯胺及陶瓷基板所组成之群组者。21.如申请专利范围第5项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自主机板、通讯纲路板。记忆模组板、周边卡、DSP卡、MODEM卡、PCMCIA卡及掌上型主板所组成之群组者。22.如申请专利范围第5项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自FR4.BT、聚亚醯胺及陶瓷基板所组成之群组者。23.如申请专利范围第1项所述之电子封装方法,其中,所有该焊锡接点皆系相同熔点者。24.如申请专利范围第4项所述之电子封装方法,其中,所有该焊锡接点皆系相同熔点者。25.一种电子封装方法,包括下列步骤:于-BGA封装形成一具方向性之焊锡接点阵列;于-PCB形成一具方向性之焊锡接点阵列;令该BGA封装之该焊锡接点阵列接触该PCB之该焊锡接点阵列;以及回焊,促使该BGA封装与该PCB形成永久性连接。26.如申请专利范围第25项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点系选自锡/铅/铟/铋/银所形成之合金者。27.如申请专利范围第25项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点系聚合物者。28.如申请专利范围第25项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点阵列包括高熔点之第一组接点及低熔点之第二组接点者。29.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该回焊步骤最高温度系介于约180oC至250oC之间者。30.如申请请专利第29项所述之电子封装方法,其中,该回焊步骤大于180Oc温度之通过时间系介于约30秒至150秒之间者。31.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该第一组焊锡接点系含约70%Pb以上之锡铅合金,该第二组焊锡接点系含约63%Sn、37%Pb之锡铅合金者。32.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点阵列之最外一列接点系包含于该第一组焊锡接点之中者。33.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点阵列之角落接点系包含于该第一组焊锡接点之中者。34.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该第一组焊锡接点包括有哑接点者。35.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该形成焊锡接点阵列之制程系选自纲板印刷、刚板印刷、射出锡球及锡球植入所组成之群组者。36.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自主机板、通讯纲路板、记忆模组板、周边卡、DSP卡、MODEM卡、PCMCIA卡及掌上型主板所组成之群组者。37.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自FR4.BT、聚亚醯胺及陶瓷基板所组成之群组者。39.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,所有该焊锡接点皆系相同熔点者。40.一种电子封装方法,包括下列步骤:于-BGA封装形成一无方向性且具相同熔点之焊锡接点阵列;于-PCB形成一无方向性且与上述焊锡接点阵列相同熔点之焊锡接点阵列;令该BGA 封装之该焊锡接点阵列接触该PCB之该焊锡接点阵列;以及回焊,促使该BGA封装与该PCB形成永久性连接。41.如申请专利范围第40项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点系选自锡/铅/铟/铋/银所形成之合金者。42.如申请专利范围第40项所述之电子封装方法,其中,该焊锡接点系聚合物者。43.如申请专利范围第40项所述之电子封装方法,其中,该形成焊锡接点阵列之制程系选自纲板印刷、刚板印刷、射出锡球及锡球植入所组成之群组者。44.如申请专利范围第40项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自主机板、通讯纲路板、记忆模组板、周边卡、DSP卡、MODEM卡、PCMCIA卡及掌上型主板所组成之群组者。45.如申请专利范围第40项所述之电子封装方法,其中,该载具系选自FR4.BT、聚亚醯胺及陶瓷基板所组成之群组者。46.如申请专利范围第28项所述之电子封装方法,其中,所有该焊锡接点皆系含约63%Sn、37Pb之锡铅合金者。47.一种电子封装,包括:一半导体装置;一载具,承载该半导体装置;以及一具方向性之焊锡接点阵列,连接该半导体装置与该载具。48.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该半导体装置系晶粒,该载具系PCB及BGA基板其中之一者。49.如申请专利范围第47或48项所述之电子封装,其中,该半导体装置系BGA封装,该载具系PCB者。50.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该焊锡接点阵列包括高熔点之第一组接点及低熔点之第二组接点者。51.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该焊锡接点系选自锡/铅/铟/铋/银所形成之合金者。52.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该焊锡接点系聚合物者。53.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该载具系选自主机板、通讯纲路板、记忆模组板、周边卡、DSP卡、MODEM卡、PCMCIA卡及掌上型主板所组成之群组者。54.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该载具系选自FR4.BT、聚亚醯胺及陶瓷基板所组成之群组者。55.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,所有该焊锡接点皆系相同熔点者。56.如申请专利范围第50项所述之电子封装,其中,该第一组焊锡接点系含约70%Pb以上之锡铅合金,该第二组焊锡接点系含约63%Sn、37%Pb之锡铅合金者。57.如申请专利范围第50项所述之电子封装,其中,该焊锡接点阵列之最外一列接点系包含于该第一组焊锡接点之中者。58.如申请专利范围第50项所述之电子封装,其中,该焊锡接点阵列之角落接点系包含于该第一组焊锡接点之中者。59.如申请专利范围第50项所述之电子封装,其中,该第一组焊锡接点包括有哑接点者。60.如申请专利范围第47项所述之电子封装,其中,该焊锡接点阵列系呈辐射状者。图式简单说明:第一图至第六图显示以等比例之焊锡接点接合半导体装置与PCB之许多实施例,其中半导体装置与PCB之焊锡接点阵列皆包括二组不同熔点之焊锡接点。第二图显示一覆晶与-PCB接合过程,其中晶粒之焊锡接点系使用锡球,而PCB之焊锡点则系使用锡膏(Solder paste)。第三图显示一覆晶与-PCB接合过程,其中晶粒与PCB之焊锡接点皆使用锡膏。第四图显示-BGA与-PCB接合过程,其中BGA之焊锡接点系使用锡球,而PCB之焊锡接点则系使锡膏。第五图显示-BGA与-PCB接合过程,其中BGA与PCB之焊锡接点皆系使用锡球。第六图显示-BGA与-PCB接合过程,其中BGA与PCB之焊锡接点皆系使用锡膏。第七图至第十二图显示以非等比例之焊锡接点接合半导体装置与PCB之许多实施例,其中半导体装置与PCB之焊锡接点阵列亦皆包括二组不同熔点之焊锡接点。第八图显示一覆晶与-PCB接合过程,其中晶粒之焊锡接点系使用锡球,而PCB之焊锡接点则系使用锡膏。第九图显示一覆晶与-PCB接合过程,其中晶粒与PCB之焊锡接点皆系使用锡膏。第十图显示-BGA与-PCB接合过程,其中BGA与PCB之焊锡接点皆系使用锡球。第十一图显示-BGA与-PCB接合过程,其中BGA之焊锡接点系使用锡球,而PCB之焊锡接点则系使用锡膏。第十二图显示-BGA与-PCB接合过程,其中BGA与PCB之焊锡接点皆系使用锡膏。第十三图系一线上IC连续制程之示意图。第十四图系一完整的主机板线上连续组装制程之示意图。