| 主权项 |
1.一种降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,包括:提供一半导体基底,其表面依序形成一第一介电层及一第二介电层;定义该第二介电层、该第一介电层、该半导体基底,藉以形成一隔离渠沟;以一预定角度植入氮离子,藉以在该隔离渠沟侧边形成一阻障层;以及形成一第三介电层,藉以覆盖该隔离渠沟。2.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该半导体基底系一矽基底。3.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第一介电层系一氧化层。4.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第二介电层系一氮化层。5.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第三介电层系一氧化层。6.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该预定角度系45。7.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第二介电层系用以作为该离子植入步骤之罩幕。8.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该隔离渠沟之定义步骤系以蚀刻制程达到。9.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第一介电层之形成步骤系以沈积制程达到。10.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第二介电层之形成步骤系以沈积制程达到。11.如申请专利范围第1项所述降低反窄通道效应之浅渠沟隔离制程,其中,该第三介电层之形成步骤系以沈积制程达到。图式简单说明:第一图A-第一图D系习知浅渠沟隔离制程的流程图;第二图系反窄通道效应的示意图;第三图A系第二图A-A'截面的硼离子浓度分布图;第三图B系第二图B-B'截面的硼离子浓度分布图;以及第四图A-第四图E系本发明浅渠沟隔离制程的流程图。 |
