第Ⅲ族氮化物半导体发光元件及光源装置

摘要

[解决之问题]本发明之第Ⅲ族氮化物半导体发光元件及光源装置，系可以提高对抗顺向及逆向静电压之耐绝缘破坏性。[解决之手段]设有框体400，其包括嵌型成形之引线框402，且形成有第一室404及第二室406均露出引线框402。在第一室404藉模片接含有蓝色发光二极体100B、绿色发光二极体100G、以及红色发光二极体100R之各电路片。在第二室406所露出之引线栓上配设有曾纳二极体300B、300G。曾纳二极体300B、300G并联连接于上述各二极体，且以可在各二极体之顺向动作电压以上之电压下引起曾纳崩溃之极性连接。以此，对于顺向过电压系藉曾纳崩溃现象，而对于逆向过电压系藉平常之顺向二极体之作用，均使过电流旁通。

主权项

1.一种第III族氮化物半导体发光元件,其在具有由包括第III族氮化物半导体之p层,相对于该p层之p电极,n层以及相对于该n层之n电极所构成之发光部之发光元件中有下述特征:在上述p电极与上述n电极之间连接有对付静电压之补偿元件,此补偿元件为由下述三构件中之至少一构件所构成:即对于上述p电极与上述n电极间之顺向之动作电压以上之顺电压,以定电压导通之定电压二极体;对于上述p电极与上述n电极间之顺向之动作电压以上之顺电压暨逆电压,以定电压导通之双向性定电压二极体;以及电容器者。2.如申请专利范围第1项之第III族氮化物半导体发光元件,其中该补偿元件形成于与形成有该发光部之基板不同之基板上,且该发光部与该补偿元件之电学上之连接系藉引线所行者。3.如申请专利范围第2项之第III族氮化物半导体发光元件,其中该补偿元件形成于与形成有该发光部之基板不同之基板上,而该发光部与该补偿元件之电学上之连接系藉引线所行,且该发光部及该补偿元件系被树脂密封者。4.如申请专利范围第1项之第III族氮化物半导体发光元件,其中该补偿元件形成于与形成有该发光部之基板相同之基板上者。5.如申请专利范围第4项之第III族氮化物半导体发光元件,其中该补偿元件形成于该发光部之该p层上者。6.一种光源装置,其特征为,配设有:引线框;树脂框体,包括嵌型成形之引线框并且具有一室露出该引线框之一部分;以及设在该室之引线框上之如申请专利范围第1项之发光元件,至少是发出蓝芭光之发光元件或发出绿色光之发光元件者。7.一种光源装置,其特征为,配设有:引线框;树脂框体,包括嵌型成形之引线框并且具有第一室及第二室均露出该引线框之一部分;以及设在该第一室之引线框上之如申请专利范围第2项之发光元件,至少是发出蓝色光之发光元件及发出绿色光之发光元件,另在该第二室之引线框上配设有该补偿元件者。8.如申请专利范围第6项之光源装置,其中在该室之引线框上又配设有发出红色光之发光元件者。9.如申请专利范围第7项之光源装置,其中在该第一室之引线框上又配设有发出红色光之发光元件者。10.申请专利范围第6项之光源装置,其中对于装载有该等发光元件之该室,即对于装载该等发光元件后之该室密封以透明树脂者。11.如申请专利范围第7项之光源装置,其中对于装载有该等发光元件之该室,即对于装载该等发光元件后之该室密封以透明树脂者。图式简单说明:第一图为展示本发明之具体性第一实施例有关之发光二极体之结构之结构图。第二图为展示第一实施例有关之发光二极体之机构之结构图。第三图为展示第二实施例有关之发光二极体之机构之结构图。第四图为展示第三实施例有关之发光二极体之层构造之断面图。第五图为展示第四实施例有关之光源装置之机构之平面图。第六图为展示第四实施例有关之光源装置之结构透视图。