| 主权项 |
1.一种电流记忆体单元,包括一细MOS记忆体电晶体及一粗MOS记忆体电晶体系串联连接至二个电源供应干线之间,一输入经由一在时钟期间之第一部分为闭合的开关,耦合至细及粗记忆体电晶体之漏极接点,第二开关连接至粗电晶体之闸极及漏极之间,该开关在第一部分之第一部期间系闭合的,第三开关连接至细记忆体电晶体之闸及漏极之间,该开关在第一部分之第二部期间系闭合的,及一输出经由一在时钟期间之第二位置为闭合之第四开关耦合至粗及细记忆体电晶体之漏极之接点,其特征为备有一电压调节装置以调节加至电源干线之电压,使其等于细及粗记忆体电晶体之闸—源电压之总和。2.如申请专利范围第1项之电流记忆体单元,其中之电压调节装置包含二个另外MOS电晶体,其成二极体连接成串联,此二个另外电晶体与粗及细记忆体电晶体匹配,一偏压电流源,此偏压电流源用以将偏压电流通过二个另外电晶体,一侦感装置供侦感出二另外电晶体之电压总和,及致使装置供致使加在电压干线上之电压实际上等于侦感出之电压。3.如申请专利范围第2项之电流记忆体单元,其中之侦感装置包含一差动放大器之第一输入,及致使装置包含装置以耦合第二输入及差动放大器之输出至一供应干线。4.如申请专利范围第3项之电流记忆体单元,其中放大器之输出连接至第五电晶体之闸极,该电晶体之漏极连接至一供应干线,其源极连接至一较高电压供应干线。5.一种交换电流信号处理装置,包括许多如申请专利范围第1项电流记忆体单元,具有一共同装置以调节加在其电源干线上之电压。6.一种交换电流信号处理装置,包括许多如申请专利范围第2项电流记忆体单元,具有一共同装置供调节加在其电源干线上之电压。7.一种交换电流信号处理装置,包含许多如申请专利范围第3项电流记忆体单元,具有一共同装置供调节加在其电源干线上之电压。8.一种交换电流信号处理装置,包括许多如申请专利范围第4项电流记忆体单元,具有一共同装置供调节加在其电源干线上之电压。图式简单说明:第一图为本发明之交换电流记忆体单元之一范例具体实例之电路图,第二图为一适用于第一图中之电流记忆体单元之差动放大器之电路图,及第三图为本发明已交换电流信号处理装置之范例具体实例之电路图。 |
