| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之光学元件,其中该元件的材料至少对沿来自第一(L1)及第二(L2)光谱频带之光的光学路径而言是完全相同的且相应于此光学路径的机械路径(1m)对具有给定波长的光而言是不同的,因而其差异会比由制造容忍度所造成的羞异更大。3.如申请专利范围第1项之光学元件,其中两个入口或出口表面(K1,K2)是由平行的平坦表面形成的,且第一和第二平面(S10,S20)的交点会自另一个与之平行的平面偏移出并落在该入口或出口表面之间的中心点上。4.如申请专利范围第1项之光学元件,其中第一(S10)和第二(S20)平面呈垂直相交而两个入口或出口表面(K1,K2)最好是由平行的平坦表面形成的,更好的是一方面第一入口或出口表面(K1)与第一(S10)平面而另一方向第二入口或出口表面(K2)与第二平面(S20)分别以一个45的角度而界定。5.如申请专利范围第1项之光学元件,其中第一和第二光学层系统会依至少近乎完全相同的效率至少优势地透射来自第三光谱范围的光(L3)且其中为此光提供了一个第三入口或出口表面,其上并提供了一个入口或出口表面(K4)以供来自三个光谱频带的光(L1,L2,L3)之用。6.如申请专利范围第1项之光学元件,其中前两个和一个第三入口或出口表面(K1,K2,K3)以及一个入口或出口表面(K4)是垂直地成对配置且最好界定出具有正方形截面的基体。7.如申请专利范围第1项之光学元件,其中该沿来自第一光谱频带之光(L1)的光学路径的该光学元件材料的折射率为n1且该光学元件材料的折射指数沿来自第二光谱频带之光(L2)的光学路径的该光学元件材料的折射率为n2的元件材料,则可在光学元件之制造容忍度的架构之内对相应的机械路径1m1,1m2而言下列关系是正确的:1m1/1m2=n2/n1。8.如申请专利范围第1项之光学元件,其中将第一光谱频带(L1)选择如下:600奈米到800奈米的波长第二光谱频带(L2)选择为:400奈米到500奈米的波长并将第三光谱频带(L3)考虑成:500奈米到600奈米的波长。9.如申请专利范围第1项之光学元件,其中该光学系统(S10,S20)之每一个由一层系统所形成,而两个系统之一(S10)由一层系统所形成,此系统在两个层系统之交叉区域(SB)而言是连续的。10.如申请专利范围第9项之光学元件,其中其与一由连续层系统所界之平面之交叉区域(SB)中变形最多5微米,较佳是最多2微米。11.如申请专利范围第1项之光学元件,其中垂直于第一和第二平面(S10,S20)的横截表面基本上会形成一个正方形,并于其上将入口或出口表面之一(K1)的相对且最好是平行于第一或第二平面的各边缘(N)截角。12.如申请专利范围第1项之光学元件,其中至少在两个入口或出口表面(K1,K2)上加有一个光阀门配置(L1,L2)最好是一种LCD配置,其中最好在入口或出口表面覆被以用于光阀门配置的电极层。13.一种如申请专利范围第1项之光学元件,安排成投影配置上的光结合元件,或是当作最好是像CCD摄影机之类影像记录配置上的分光元件。14.一种如申请专利范围第1-10项之一用于制造X-立方体的方法,其中系由其上有两个光学层系统(S10,S20)配置于中心平面内的材料构成的经过延伸立方体(40)开始,切下(T1,T2)平行于立方体之对角表面但是与立方体呈非对称的两个角落棱镜(P1,P2),随后藉由切割剩余两个垂直于立方体之该对角表面(D)的两个角落区段而完成X-立方体的横截表面。15.如申请专利范围第14项之方法,其中将具有X-立方体之横截表面的立方体沿垂直于该横截面积的方向分段而形成数个X-立方体。16.如申请专利范围第14项之方法,其中平行的分段作业是同时而分别地执行的。图式简单说明:第一图系一种用于像投影配置之类光重新结合配置上的已知X-立方体。第二图简略描绘出一种根据习知设计的X-立方体以便解释出色散造成的光学路径长度的差异1。第三图显示的是若物体同时出现在不同的物距上时以光学成像系统的简略图示为基础的成像效应。第四图显示的是穿透根据本发明之X-立方体的截面以当作本发明的较佳元件。第五图从具有详细地解释于附录A中之型式的中间立方体成品开始,简略地制造出以根据本发明的制造程序为基础的X-立方体。第六图以根据本发明的程序为基础制造一种其上具有光阀门配置的X-立方体。 |
