发明名称 |
半導体性単層カーボンナノチューブ |
摘要 |
2ステップsc−SWCNT濃縮プロセスは、共役ポリマーを使用する半導体性SWCNTの選択的分散及び抽出に基づく第1のステップと、主として金属性のSWCNTを選択的に結合するため、第1のステップの生成物が無機吸着媒体に曝露される吸着プロセスに基づく、後続の第2のステップと、を有する。それにより、溶液内に分散されたままのものは、半導体性SWCNTでさらに濃縮される。当該プロセスは、例えば約0.6乃至2.2nmの範囲の平均直径を有する半導電性単層カーボンナノチューブ(sc−SWCNT)濃縮のために容易に拡張可能である。第1のステップは、高収率における適度な純度で(98%)、又は低収率における高純度で(99%以上)、濃縮sc−SWCNT分散液を生成する。第2のステップは、適度な純度でのポリマー濃縮sc−SWCNT分散液の純度を増強できるだけなく、高度に精製されたサンプルを超高純度レベルまでさらに促進できる。従って、この2ステップハイブリッドプロセスは、超高純度、並びに高sc純度(例えば99%より大)及び高収率(約20%以上)の両方を有するsc−SWCNT材料を提供する |
申请公布号 |
JP2016536256(A) |
申请公布日期 |
2016.11.24 |
申请号 |
JP20160535282 |
申请日期 |
2014.08.18 |
申请人 |
ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ |
发明人 |
ディン,ジアンフ;メイレンファント,パトリック;リ,ザオ;レフェブヴレ,ジャッキーズ;チェン,フョン;シマード,ベノイット |
分类号 |
C01B31/02;B01D15/00;B01J20/06;B01J20/08;B01J20/10;B01J20/14;B01J20/18;B01J20/26;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
主分类号 |
C01B31/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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