| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:在一基底上形成一半导体层;将该半导体层照射以一雷射光束以将该半导体层结晶化,其中该雷射光束为一钕雷射的一第二谐波。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该基底为一玻璃基底。3.如申请专利范围第1项的方法,其中该半导体层包含矽,锗化矽合金,碳化矽,锗,硒化镉,硫化镉;及金申化镓等物质中之一物质。4.一种半导体装置的制造方法;包含以下步骤:在一基底上形成一半导体层;将该半导体层照射以一雷射光束以将该半导体层结晶化,其中该雷射光束为包含钕的雷射的第二谐波,包含晶体作为一谐振源。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该半导体层包含基底为一玻璃基底。6.如申请专利范围第4项的方法,其中该半导体层包含矽,锗化矽合金,碳化矽,锗,硒化镉,硫化镉;及金申化镓等物质中之一物质。7.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:在一基底上形成一半导体层;将该半导体照射以一雷射光束以将该半导体层结晶化,其中该雷射光束-Nd:YAG雷射的一第二谐波。8.如申请专利范围第7项的方法,其中该基底为一玻璃基底。9.如申请专利范围第7项的方法,其中该半导体层包含矽,锗化矽合金,碳化矽,锗,硒化镉,硫化镉;及金申化镓等物质中之一物质。10.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:在一基底上形成一半导体层;将该半导体层结晶化;将该半导体层定型为至少一半导体岛;藉由照射一雷射光束而将该部份中的植入杂质活化;其中该雷射光束为钕(Nd)雷射的一第二谐波。11.如申请专利范围第10项的方法,其中该杂质含磷。12.如申请专利范围第10项的方法,其中该半导体层包含磷化矽。13.如申请专利范围第10项的方法,进一步包含在该半导体岛上形成一闸电极的步骤。14.一种半导体装置的制造方法包含以下步骤:在一绝缘表面上形成一半导体层;将该半导体层照射以一脉波雷射光束以将该半导体层结晶化,其中该雷射光束为一钕(Nd)雷射的第二谐波。15.如申请专利范围第14项的方法,其中该半导体层包含非晶矽。16.如申请专利范围第14项的方法,其中该半导体层被形成为一岛形。17.如申请专利范围第14项的方法,其中该钕雷射为一Nd:YAG雷射。18.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:在一绝缘表面上形成一掺杂以磷及硼中之一杂质的半导体层;以及将该半导体层照射以一脉波雷射光束,其中该雷射光束为一钕(Nd)雷射。19.如申请专利范围第18项的方法,其中该半导体层包含非晶矽。20.如申请专利范围第18项的方法,其中该半导体层被形成为一岛形。21.如申请专利范围第18项的方法,其中该钕(Nd)雷射为一Nd:YAG雷射。22.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:在一绝缘表面上形成一半导体层;选择性地将一杂质离子植入该半导体层以在该半导体层中形成掺杂区域;将该半导体层照射以一脉波光束以退火该掺杂区域,其中该雷射光束为钕(Nd)雷射的一第二谐波。23.如申请专利范围第22项的方法,其中该半导体层包含非晶矽。24.如申请专利范围第22项的方法,其中该半导体层被形成为一岛形。25.如申请专利范围第22项的方法,其中该钕(Nd)雷射为一Nd:YAG雷射。26.如申请专利范围第10项的方法,其中该钕(Nd)雷射为一Nd:YAG雷射。图式简单说明:第一图(A)到第一图(E)系本发明实施例的剖面图第二图(A)到第二图(D)系习知技术的剖面图第三图(A)到第三图(F)系本发明实施例的剖面图第四图(A)到第四图(C)系本发明实施例的正面图第五图(A)到第五图(F)系本发明实施例的剖面图第六图(A)到第六图(F)系本发明实施例的剖面图第七图(A)到第七图(E)系本发明实施例的剖面图第八图(A)到第八图(F)系本发明实施例的剖面图第九图(A)到第九图(C)系本发明实施例的正面图第十图(A)到第十图(F)本发明实施例的剖面图 |
