| 主权项 |
1.一种曝光机台之叠层对准监测方法,适用于一晶圆,其包括下列步骤:形成一光阻于该晶圆表面;提供一光罩,分别具有一第一框型图案,及一第二盒型图案,其小于该第一框型图案;对该光阻进行第一次曝光,其曝光量约小于该光阻显影所需之临界値,但约大于该临界値之二分之一;以相对移动方式平移该光罩致使该第二盒型图案平移至原该第一框型图案之位置,以进行叠层对准;对该光阻进行第二次曝光,其曝光量约小于该光阻显影所需之临界値,但约大于该临界値之二分之一;对该光阻进行显影,以移转该第一框型图案及第二盒型图案至该光阻表面,形成一叠层图案,其中,该光阻重复曝光之部分将被显影去除,并在相当于该第一框型图案之位置内侧与相当于该第二盒型图案之位置外侧之间形成对称性开口;及量测该些对称性开口之尺寸大小并计算其差値。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该晶圆为一标准矽晶圆。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该光阻为一正光阻。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一框型图案为一中空图案。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第二盒型图案为一实心图案。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第二盒型图案之中心系平移至原该第一框型图案之中心位置。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第一框型图案系呈一矩型。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该第二盒型图案中心系呈一矩型。9.一种曝光机台之叠层对准监测方法,适用于一晶圆,其包括下列步骤:形成一光阻于该晶圆表面;提供一光罩,分别具有一第一特定中空图案,及一第二特定实心图案,该第二特定实心图案较小并可容纳于该第一特定中空图案;对该光阻进行第一次曝光,其曝光量约小于该光阻显影所需之临界値,但约大、于该临界値之二分之一;以相对移动方式平移该光罩致使该第二特定实心图案平移至原该第一特定中空图案之位置,以进行叠层对准;对该光阻进行第二次曝光,其曝光量约小于该光阻显影所需之临界値,但约大于该临界値之二分之一;对该光阻进行显影,以移转该第一特定中空图案及第二特定实心图案至该光阻表面,形成一叠层图案,其中该光阻重复曝光之部分将被显影去除,并在相当于该第一特定中空图案之位置内侧与相当于该第二特定实心图案之位置外侧之间形成对称性开口;及量测该些对称性开口之尺寸大小并计算其差値。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该第一特定中空图案为一框型图案。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,该第二特定实心图案为一盒型图案。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其系量测该些对称性开口之水平方向尺寸大小,并计算其差値。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其系量测该些对称性开口之垂直方向尺寸大小,并计算其差値。图式简单说明:第一图系显示本发明之一实施例中,具有特定图案之光罩上视图。第二图A系代表本发明之一实施例中,对一晶圆上之光阻施以第一次曝光之剖面图。第二图B系代表本发明之一实施例中,对第二图A晶圆上之光阻施以第二次曝光之剖面图。第二图C系代表本发明之一实施例中,对第二图B晶圆上之光阻进行显影后之剖面图。 |
