| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之储电电容器的制造方法,包括下列步骤:(1)提供一底材,上述底材上形成有场氧化物及电晶体元件;(2)在上述底材上形成一第一绝缘层;(3)进行上述第一绝缘层蚀刻,形成复数接触孔;(4)在上述底材上形成一第一导电层,将该第接触孔填满;(5)进行上述第一导电层蚀刻,形成复数接触插塞;(6)在上述第一绝缘层上交互地形成至少一第一中间导电层和一第二中间导电层,构成一第二导电层之多层结构;(7)在上述第二导电层上形成一罩幕;(8)以不同蚀刻速率的蚀刻液蚀刻上述第二导电层;(9)对上述第二中间导电层进行掺杂;(10)在上述第二导电层上形成一介电质层;和(11)在上述介电质层上形成一第三导电层。2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述第一绝缘层是一氧化层。3.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述第一导电层是一复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述第一中间导电层是一掺杂之复晶矽层。5.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述第二中间导电层是一未掺杂之复晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述介电质层系使用氧化物/氮化物/氧化物所构成。7.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述介电质层系使用氮化物/氧化物所构成。8.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中上述第三导电层是一复晶矽层。9.一种动态随机存取记忆体之储电电容器的制造方法,包括下列步骤:(1)提供一底材,上述底材上形成有场氧化物及电晶体元件;(2)在上述底材上形成一第一绝缘层;(3)进行上述第一绝缘层蚀刻,形成复数接触孔;(4)在上述底材上形成一第一导电层,将该第接触孔填满;(5)进行上述第一导电层蚀刻,形成复数接触插塞;(6)在上述第一绝缘层上交互地形成至少一中间绝缘层和一中间介电质层,构成一多层结构;(7)以不同蚀刻速率的蚀刻液蚀刻上述多层结构;(8)在上述多层结构上形成至少一第一导电层;(9)蚀刻上述第一导电层;(10)在上述第一导电层上形成一第一绝缘层;和(11)在上述介电质层上形成一第二导电层。10.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述第一绝缘层是一氧化层。11.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述第一导电层是一复晶矽层。12.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述中间绝缘层系使用氮化物所构成。13.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述中间介电质层系使用氧化物所构成。14.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述介电质层系使用氧化物/氮化物/氧化物所构成。15.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述介电质层系使用氮化物/氧化物所构成。16.如申请专利范围第9项所述的制造方法,其中上述第二导电层是一复晶矽层。图式简单说明:第一图A系绘示习知之动态随机存取记忆体中,一个记忆单元的电路示意图。第一图B系绘示习知之动态随机存取记忆单元的剖面示意图。第二图A-第二图G系绘示根据本发明之实施例一的动态随机存取记忆体之储电电容器的制造流程剖面图。第三图A-第三图H系绘示根据本发明之实施例二的动态随机存取记忆体之储电电容器的制造流程剖面图。 |
