| 摘要 |
<p>에피층을 성장한 후에 메몰층에 대한 마스크 자동정렬시 그 불량을 방지하기에 적당한 마스크 정렬을 위한 타겟에 대한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 마스크 정렬을 위한 타겟은 레이저 빔 스캔을 위해 일정 모양을 갖는 메몰층을 포함한 웨이퍼 상부에 에피층을 성장시킨 후에 마스크를 자동정렬시킴에 있어서, 레이저 빔이 한 부분에서만 반사되도록 상기 에피층 상측에 상기 메몰층의 가장자리와 대응되는 부분에서 선폭이 없는 일단의 단차를 갖도록 형성됨을 특징으로 한다.</p> |
