| 主权项 |
1.一种铝金属层的结构,包括一半导体基底,具有一表面;一第一氮化钛层,设置于该半导体基底之该表面上;一第一铝金属层,设置于该第一氮化钛层上;一金属层,设置于该第一铝金属层上;一蚀刻阻挡层,设置于该金属层上;一第二铝金属层,设置于该蚀刻阻挡层上;以及一第二氮化钛层,设置于该第二铝金属层上。2.如申请专利范围第1项所述之铝金属层的结构,其中该金属层之材质系为钛。3.如申请专利范围第1项所述之铝金属层的结构,其中该第一铝金属层具有一第一厚度,该第二铝金属层具有一第二厚度。4.如申请专利范围第3项所述之铝金属层的结构,其中该第一厚度大于该第二厚度。5.如申请专利范围第1项所述之铝金属层的结构,其中该蚀刻阻挡层之材质为氮化钛。6.如申请专利范围第1项所述之铝金属层的结构,其中该蚀刻阻挡层之材质为氮化钨。7.一种铝金属层的结构,用以设置在一半导体基底之一表面上,该结构包括:一第一氮化钛层,设置于该表面上;一第一铝金属层,设置于该第一氮化钛层上,该第一铝金属层具有一第一厚度;一钛金属层,设置于该第一铝金属层上;一蚀刻阻挡层,设置于该钛金属层上;一第二铝金属层,设置于该蚀刻阻挡层上,该第二铝金属层具有一第二厚度;以及一第二氮化钛层,设置于该第二铝金属层上。8.如申请专利范围第7项所述之铝金属层的结构,其中该第一厚度大于该第二厚度。9.如申请专利范围第7项所述之铝金属层的结构,其中该蚀刻阻挡层之材质为氮化钛。10.如申请专利范围第7项所述之铝金属层的结构,其中该蚀刻阻挡层之材质为氮化钨。图式简单说明:第一图是一种习知的铝金属层的剖面结构示意图;第二图绘示为习知铝原子因电致迁移形成突起之示意图。第三图A绘示依照本创作一较佳实施例的,一种铝金属层结构剖面绘示图;以及第三图B绘示为形成一开口于第三图A之结构的剖面图。 |
