发明名称 积层式电子元件之电极结构改良
摘要 本创作是有关积层式电子元件之电极结构改良,此电极结构将生产时所产生的位置偏移考虑在电极设计中,而能够生产出品质较一致性的产品,同时也增加生产的良率。此电极结构增加内电极与端电极的接触面积,降低内电极与端电极间的接触电阻,而能够使变阻器完全发挥可承受的最大瞬间电流的功能,可强化变阻器的保护功能,不致于因为接触不良或没有接触,而影响变阻器应有的特性。
申请公布号 TW430103 申请公布日期 2001.04.11
申请号 TW088222483 申请日期 1999.12.31
申请人 佳邦科技股份有限公司 发明人 李俊远
分类号 H01C7/10 主分类号 H01C7/10
代理机构 代理人 郑再钦 台北巿民生东路三段二十一号十楼
主权项 1.一种积层式电子元件之电极结构改良,此积层式电子元件至少包括一对内电极,此两内电极间存在一夹层,此夹层填充介电材料,此元件并包括保护内电极之上、下盖及端电极;其特征在于:两内电极之面积为不同,面积差异必须大于位置偏移标准差者。2.如申请专利范围第1项之积层式电子元件之电极结构改良,其中,靠近端面的内电极面积较大,使内电极及端电极成为多面接触者。3.如申请专利范围第1项之积层式电子元件之电极结构改良,其中,两内电极之面积设计为不同,面积差异必须大于位置偏移标准差,且靠近端面的内电极面积较大,使内电极及端电极的接触面积增加者。4.如申请专利范围第1项之积层式电子元件之电极结构改良,其中,介电材料可为变阻器使用之材料者。图式简单说明:第一图为本创作积层式电子元件之单层基本结构之剥面图;第二图为本创作积层式电子元件之电极结构之一例,显示两内电极之面积不同;第三图为本创作积层式电子元件之电极结构之另一例,显示内电极与外界具较大之接触面积;第四图为本创作积层式电子元件之电极设计之又一例,显示两内电极之面积不同且内电极与外界具较大之接触面积;第五图为本创作积层式电子元件之典型结构之剥面图;第六图为本创作积层式电子元件之电极设计,两内电极之面积不同且内电极与端电极接触的情况。
地址 台北巿仁爱路三段一三六号四楼