| 主权项 |
1.一种金属内连线之制造方法,适用于半导体制程,包括:提供已形成部份元件之一基底;在该基底上形成一光阻图案,其在该光阻图案中有一开口,暴露出该基底;进行一矽化制程,以使该光阻层矽化而形成一矽化光阻层;在该矽化光阻层上形成一金属层,并填满该开口;以及去除该开口以外之该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该光阻层之材质包括含有光酸产生因子成分的化学增幅型光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制造方法,其中该矽化制程包括在矽烷的环境下进行加热。4.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制方法,其中该金属层包括铜。5.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制方法,其中去除在该开口以外之该金属层的方法包括化学机械研磨法。6.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制方法,其中该开口包括沟渠。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线之制方法,其中该开口包括接触窗。8.一种双重金属镶嵌之制程,包括:提供已形成部份元件之一基底;在该基底上形成一光阻层;定义该光阻层,已在该光阻层中同时形成一开口和一沟渠,其中该沟渠之深度小于该开口,且该基底在该开口下方之部份被暴露出来;进行一矽化制程,以使该光阻层矽化而形成一矽化光阻层;在该矽化光阻层上形成一金属层,并填满该开口和该沟渠;以及去除该开口以外之该金属层。9.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌之制程,其中该光阻层之材质包括含有光酸产生因子成分的化学增幅型光阻层。10.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌之制程,其中该矽化制程包括在矽烷的环境下进行加热。11.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌之制程,其中定义该光阻层的方式包括利用具有该开口图形和该沟渠图形之一光罩对该光阻层进行曝光;以及对该光阻层进行显影,其中该光罩之该沟渠图形上具有一部份透光层,以使曝光用之光源通过该沟渠图形之强度小于通过该开口图形之强度。12.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌之制程,其中该金属层包括铜。13.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌之制程,其中去除在该开口以外之该金属层的方法包括化学机械研磨法。14.如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌之制程,其中该开口包括接触窗。图式简单说明:第一图A到第一图E为习知金属镶嵌制程的流程剖面示意图;第二图A至第二图G为习知的双重金属镶嵌制造流程剖面图;第三图A至第三图D其绘示依照本发明一较佳实施例的一种金属内连线的制造流程剖面图;以及第四图A至第四图E其绘示依照本发明一较佳实施例的一种双重金属镶嵌的制造流程剖面图。 |
